测量晶闸管的直流转折电压V（BO），反向击穿电压V（BR）等
量晶闸管的直流转折电压v（bo），反向击穿电压v（br）等参数
晶闸管的伏安特性如图1所示。测正向特性时，阳极a接电源正极，阴极k接电源负极，仅有很小的漏电流，由于门极未加触发信号，igt=0，故晶闸管关断，对应于曲线上oa一段。当正向电压达到并超过直流转折电压v（bo）时，晶闸管被正向击穿，进入负阻区，对应于虚线ab；最后达到低阻区bc，通态电流it迅速增大，晶闸管导通。ih是维持电流，它表示让晶闸管处于导通状态所需最小电流。
晶闸管的直汉转折电压v（bo）可达几百伏，甚至上千伏。手册中通常仅给出正向断态峰值电压vdrm，一般规定：
vdrm= v（bo）－100v
实际上只需在门极加上合适的触发信号(正向电压或正向脉冲)，即可使晶闸管在低压条件下导通。门极的作用就是降低直流转折电压，使晶闸管容易导通，实现可控整流。
测反向特性时，阴极k接电源正极，阳极a接电源负极。此时晶闸管不导通，只有很小的反向漏电流，对应于高阻区od。当反向电压达到并超过反向击穿电压v（br）时晶闸管反向击穿，反向漏电流迅速增大。手册中给出反向断态峰值电压vrrm，它与v（br）的关系为
vrrm= v（br）－100v
式中，vrrm、v（br）均取绝对值，下同。 因此，只要测出v（bo）、v（br）之值，就进一步求出vdrm和vrrm。一般情况下，正、反向断态峰值电压在数值上基本相等。
测量v（bo）、v（br）的电路如图2所示，需使用万用表和兆欧表各一块。所选兆欧表的额定电压应为1000～2500v，直流电压表和量程也应在1000～2500v。
实例：测量一只3ct20/500型晶闸管，其正向断态峰值电压vdrm=500v。采用zc25-4型1000v兆欧表。mf30型万用表只有500vdc档，串联一只100mw、1w的金属膜电阻后，量程扩展为2500vdc。若按500vdc档刻度读数，就需要扩大五倍，才是实际电压值。
按（a）图接好电路，以120r/min摇兆欧表，使晶闸管正向击穿，这时万用表读数为150v，故
v（bo）=150×5=750v
vdrm=750－100=650v
再按(b)图电路使晶闸管反向击穿，万用表读数为140v，故
v（bo）=140×5=700v
vdrm=700－100=600v
由此可见，vdrm与vrrm比较接近。现在vdrm =650v，高于手册规定值，说明该项指标留有余量。
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晶闸管的直汉转折电压v（bo）可达几百伏，甚至上千伏。手册中通常仅给出正向断态峰值电压vdrm，一般规定：
vdrm= v（bo）－100v
实际上只需在门极加上合适的触发信号(正向电压或正向脉冲)，即可使晶闸管在低压条件下导通。门极的作用就是降低直流转折电压，使晶闸管容易导通，实现可控整流。
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vrrm= v（br）－100v
式中，vrrm、v（br）均取绝对值，下同。 因此，只要测出v（bo）、v（br）之值，就进一步求出vdrm和vrrm。一般情况下，正、反向断态峰值电压在数值上基本相等。
测量v（bo）、v（br）的电路如图2所示，需使用万用表和兆欧表各一块。所选兆欧表的额定电压应为1000～2500v，直流电压表和量程也应在1000～2500v。
实例：测量一只3ct20/500型晶闸管，其正向断态峰值电压vdrm=500v。采用zc25-4型1000v兆欧表。mf30型万用表只有500vdc档，串联一只100mw、1w的金属膜电阻后，量程扩展为2500vdc。若按500vdc档刻度读数，就需要扩大五倍，才是实际电压值。
按（a）图接好电路，以120r/min摇兆欧表，使晶闸管正向击穿，这时万用表读数为150v，故
v（bo）=150×5=750v
vdrm=750－100=650v
再按(b)图电路使晶闸管反向击穿，万用表读数为140v，故
v（bo）=140×5=700v
vdrm=700－100=600v
由此可见，vdrm与vrrm比较接近。现在vdrm =650v，高于手册规定值，说明该项指标留有余量。
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