Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)
diodes 公司 (diodes) (nasdaq：diod) 今日宣布推出首款碳化硅 (sic) 萧特基势垒二极管 (sbd)。产品组合包含 diodes dscxxa065 系列，共有十一项 650v 额定电压 (4a、6a、8a 和 10a) 的产品，以及 diodes dscxx120 系列，共有八款 1200v 额定电压 (2a、5a 和 10a) 产品。
这些宽带隙 sbd 的优点包括可大幅提高效率和高温可靠性，同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求。这些装置适用于 ac-dc、dc-dc 和 dc-ac 降压变换器、光伏逆变器、不断电系统和工业马达驱动产品应用。此外，本系列装置也适用于其他各种电路，例如功率因子校正用途的升压转换器。
这些 sic 装置拥有高效率效能，表现优于传统硅晶型产品，能为电源供应器设计人员带来空前产品效能优势，例如：
低电容电荷 (qc) 可将切换损耗降至极低，进而提升高速切换产品应用的效率。适合用于功率密度具有较高、解决方案总尺寸较小的电路设计。
低顺向电压 (vf) 可进一步提高效率、降低功率损耗和营运成本。
减少散热，有助于降低整个系统的散热预算。
高突波电流能力可提升稳固性，实现较佳系统可靠性，而出色的热效能还可降低建构成本。
本系列装置提供三种封装选项，包括表面黏着 to252-2 (wx 型)、通孔 to220ac (wx 型) 和 ito220ac (wx-nc 型)。
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