场效应管工作原理是什么?
场效应管工作原理是什么?
场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而fet仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是mos场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管mosfet）；此外还有pmos、nmos和vmos功率场效应管，以及最近刚问世的πmos场效应管、vmos功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型n沟道场效应三极管，3do6c 是绝缘栅型n沟道场效应三极管。
第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
三、场效应管的参数
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、i dss — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压u gs=0时的漏源电流。
2、up — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、ut — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gm — 跨导。是表示栅源电压u gs — 对漏极电流i d的控制能力，即漏极电流i d变化量与栅源电压ugs变化量的比值。gm 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、buds — 漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
6、pdsm — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
7、idsm — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过idsm
几种常用的场效应三极管的主要参数
四、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
五、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于r×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数kω时，则这两个管脚为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于n沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力
将万用表拨到r×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给场效应管加上1.5v的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，uds和id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子rds减小，使表针向右摆动，多数管子的rds增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测mos管。为了保护mos场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
mos管每次测量完毕，g-s结电容上会充有少量电荷，建立起电压ugs，再接着测时表针可能不动，此时将g-s极间短路一下即可。
目前常用的结型场效应管和mos型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
六、常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
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国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管使用注意事项。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）.mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
（5）. mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、vmos场效应管
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六种vmos管的主要参数。其中，irfpc50的外型如右上图所示。
vmos场效应管的检测方法
（1）．判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极s、漏极d
由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售vnf系列（n沟道）产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30w
七、场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
1.什么叫场效应管？
fffect transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为
双极型晶体管,而fet仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。fet应用范围很广,但不能说现在普及的双极
型晶体管都可以用fet替代。然而，由于fet的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的特征：
(a) jfet的概念图
(b) jfet的符号
图1 jfet的概念图、符号
图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道jfet，外向为p沟道jfet。
图1（a）表示n沟道jfet的特性例。以此图为基础看看jfet的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0v时考虑（vgs =0）。在此状态下漏极-源极间电压vds 从0v增加，漏电流id几乎与vds 成比例增加，将此区域称为非饱和区。vds 达到某值以上漏电流id 的变化变小，几乎达到一定值。此时的id 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用idss 表示。与此idss 对应的vds 称为夹断电压vp ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压vds (例如0.8v)，vgs 值从0开始向负方向增加，id 的值从idss 开始慢慢地减少，对某vgs 值id =0。将此时的vgs 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用vgs (off)示。n沟道jfet的情况则vgs (off) 值带有负的符号,测量实际的jfet对应id =0的vgs 因为很困难,在放大器使用的小信号jfet时,将达到id =0.1-10μa 的vgs 定义为vgs (off) 的情况多些。 关于jfet为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
jfet的工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的id ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制id 。更正确地说，id 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在vgs =0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加vds的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流id 流动。达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加vds ，因漂移电场的强度几乎不变产生id 的饱和现象。
其次，如图10.4.2(c)所示，vgs 向负的方向变化，让vgs =vgs (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3.场效应管的分类和结构:
fet根据门极结构分为如下两大类。其结构如图3所示:
面结型fet（简化为jfet） 门极绝缘型fet(简化为mos fet)
图3. fet的结构
各种结构的fet均有门极、源极、漏极3个端子，将这些与双极性晶体管的各端子对应如表1所示。
jfet是由漏极与源极间形成电流通道（channel）的p型或n型半导体，与门极形成pn结的结构。
另外，门极绝缘型fet是通道部分（semicoductor）上形成薄的氧化膜（oxide），并且在其上形成门极用金属薄膜（metal）的结构。从制造门极结构材质按其字头顺序称为mos fet。
根据jfet、mos fet的通道部分的半导体是p型或是n型分别有p沟道元件，n沟道元件两种类型。
图3均为n沟道型结构图。
4.场效应管的传输特性和输出特性
图4 jfet的特性例(n沟道)
从图4所示的n沟道jfet的特性例来看，让vgs 有很小的变化就可控制id 很大变化的情况是可以理解的。采用jfet设计放大器电路中，vgs 与id 的关系即传输特性是最重要的，其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明。
图5 传输特性
这个传输特性包括jfet本身的结构参数，例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性，以致形状、尺寸等，作为很麻烦的解析结果可导出如下公式（公式的推导略去）
10.4.1
作为放大器的通常用法是vgs 、vgs (off) 0（p沟道）。式(10.4.1)用起来比较困难，多用近似的公式表示如下
将此式就vgs 改写则得下式
上(10.4.2) 下(10.4.3)
若说式(10.4.2)是作为jfet的解析结果推导出来的，不如说与实际的jfet的特性或者式(10.4.1)很一致的作为实验公式来考虑好些。图5表示式(10.4.1)、式(10.4.2)及实际的jfet的正规化传输特性，即以id /idss为纵坐标，vgs /vgs (off) 为横坐标的传输特性。n沟道的jfet在vgs < 0的范围使用时，因vgs(off) 0，但在图5上考虑与实际的传输特性比较方便起见，将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路时，需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式。
传输特性相当于双极性晶体管的vbe -ie特性，但vbe -ie 特性是与高频用、低频用、功率放大用等用途及品种无关几乎是同一的。与此相反，jfet时，例如即使同一品种idss、vgs(off)的数值有很大差异，传输特性按各产品也不同。
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场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而fet仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（jfet）因有两个pn结而得名，绝缘栅型场效应管（jgfet）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是mos场效应管，简称mos管（即金属-氧化物-半导体场效应管mosfet）；此外还有pmos、nmos和vmos功率场效应管，以及最近刚问世的πmos场效应管、vmos功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和p沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母j代表结型场效应管，o代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，d是p型硅，反型层是n沟道；c是n型硅p沟道。例如,3dj6d是结型n沟道场效应三极管，3do6c 是绝缘栅型n沟道场效应三极管。
第二种命名方法是cs××#，cs代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如cs14a、cs45g等。
三、场效应管的参数
场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：
1、i dss — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压u gs=0时的漏源电流。
2、up — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、ut — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gm — 跨导。是表示栅源电压u gs — 对漏极电流i d的控制能力，即漏极电流i d变化量与栅源电压ugs变化量的比值。gm 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、buds — 漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
6、pdsm — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
7、idsm — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过idsm
几种常用的场效应三极管的主要参数
四、场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
五、场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于r×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数kω时，则这两个管脚为漏极d和源极s（可互换），余下的一个管脚即为栅极g。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于n沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力
将万用表拨到r×100档，红表笔接源极s，黑表笔接漏极d，相当于给场效应管加上1.5v的电源电压。这时表针指示出的是d-s极间电阻值。然后用手指捏栅极g，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，uds和id都将发生变化，也相当于d-s极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子rds减小，使表针向右摆动，多数管子的rds增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测mos管。为了保护mos场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
mos管每次测量完毕，g-s结电容上会充有少量电荷，建立起电压ugs，再接着测时表针可能不动，此时将g-s极间短路一下即可。
目前常用的结型场效应管和mos型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。
六、常用场效用管
1、mos场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。
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国产n沟道mosfet的典型产品有3do1、3do2、3do4（以上均为单栅管），4do1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
mos场效应管的检测方法
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于r×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。
目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
mos场效应晶体管使用注意事项。
mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）.mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。
（5）. mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、vmos场效应管
vmos场效应管（vmosfet）简称vmos管或功率场效应管，其全称为v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了mos场效应管输入阻抗高（≥108w）、驱动电流小（左右0.1μa左右），还具有耐压高（最高可耐压1200v）、工作电流大（1.5a～100a）、输出功率高（1～250w）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的mos场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。vmos管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用v型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以id不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂n+区（源极s）出发，经过p沟道流入轻掺杂n-漂移区，最后垂直向下到达漏极d。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型mos场效应管。
国内生产vmos场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有vn401、vn672、vmpt2等。表1列出六种vmos管的主要参数。其中，irfpc50的外型如右上图所示。
vmos场效应管的检测方法
（1）．判定栅极g
将万用表拨至r×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为g极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极s、漏极d
由图1可见，在源-漏之间有一个pn结，因此根据pn结正、反向电阻存在差异，可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是s极，红表笔接d极。
（3）．测量漏-源通态电阻rds（on）
将g-s极短路，选择万用表的r×1档，黑表笔接s极，红表笔接d极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的rds（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表r×1档实测一只irfpc50型vmos管，rds（on）=3.2w，大于0.58w（典型值）。
（4）．检查跨导
将万用表置于r×1k（或r×100）档，红表笔接s极，黑表笔接d极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）vmos管亦分n沟道管与p沟道管，但绝大多数产品属于n沟道管。对于p沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数vmos管在g-s之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种vmos管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国ir公司生产的irft001型模块，内部有n沟道、p沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售vnf系列（n沟道）产品，是美国supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120mhz，idsm=1a，pdm=30w，共源小信号低频跨导gm=2000μs。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用vmos管时必须加合适的散热器后。以vnf306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30w
七、场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
1.什么叫场效应管？
fffect transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为
双极型晶体管,而fet仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。fet应用范围很广,但不能说现在普及的双极
型晶体管都可以用fet替代。然而，由于fet的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的特征：
(a) jfet的概念图
(b) jfet的符号
图1 jfet的概念图、符号
图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道jfet，外向为p沟道jfet。
图1（a）表示n沟道jfet的特性例。以此图为基础看看jfet的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0v时考虑（vgs =0）。在此状态下漏极-源极间电压vds 从0v增加，漏电流id几乎与vds 成比例增加，将此区域称为非饱和区。vds 达到某值以上漏电流id 的变化变小，几乎达到一定值。此时的id 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用idss 表示。与此idss 对应的vds 称为夹断电压vp ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压vds (例如0.8v)，vgs 值从0开始向负方向增加，id 的值从idss 开始慢慢地减少，对某vgs 值id =0。将此时的vgs 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用vgs (off)示。n沟道jfet的情况则vgs (off) 值带有负的符号,测量实际的jfet对应id =0的vgs 因为很困难,在放大器使用的小信号jfet时,将达到id =0.1-10μa 的vgs 定义为vgs (off) 的情况多些。 关于jfet为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
jfet的工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的id ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制id 。更正确地说，id 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在vgs =0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加vds的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流id 流动。达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加vds ，因漂移电场的强度几乎不变产生id 的饱和现象。
其次，如图10.4.2(c)所示，vgs 向负的方向变化，让vgs =vgs (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3.场效应管的分类和结构:
fet根据门极结构分为如下两大类。其结构如图3所示:
面结型fet（简化为jfet） 门极绝缘型fet(简化为mos fet)
图3. fet的结构
各种结构的fet均有门极、源极、漏极3个端子，将这些与双极性晶体管的各端子对应如表1所示。
jfet是由漏极与源极间形成电流通道（channel）的p型或n型半导体，与门极形成pn结的结构。
另外，门极绝缘型fet是通道部分（semicoductor）上形成薄的氧化膜（oxide），并且在其上形成门极用金属薄膜（metal）的结构。从制造门极结构材质按其字头顺序称为mos fet。
根据jfet、mos fet的通道部分的半导体是p型或是n型分别有p沟道元件，n沟道元件两种类型。
图3均为n沟道型结构图。
4.场效应管的传输特性和输出特性
图4 jfet的特性例(n沟道)
从图4所示的n沟道jfet的特性例来看，让vgs 有很小的变化就可控制id 很大变化的情况是可以理解的。采用jfet设计放大器电路中，vgs 与id 的关系即传输特性是最重要的，其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明。
图5 传输特性
这个传输特性包括jfet本身的结构参数，例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性，以致形状、尺寸等，作为很麻烦的解析结果可导出如下公式（公式的推导略去）
10.4.1
作为放大器的通常用法是vgs 、vgs (off) 0（p沟道）。式(10.4.1)用起来比较困难，多用近似的公式表示如下
将此式就vgs 改写则得下式
上(10.4.2) 下(10.4.3)
若说式(10.4.2)是作为jfet的解析结果推导出来的，不如说与实际的jfet的特性或者式(10.4.1)很一致的作为实验公式来考虑好些。图5表示式(10.4.1)、式(10.4.2)及实际的jfet的正规化传输特性，即以id /idss为纵坐标，vgs /vgs (off) 为横坐标的传输特性。n沟道的jfet在vgs < 0的范围使用时，因vgs(off) 0，但在图5上考虑与实际的传输特性比较方便起见，将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路时，需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式。
传输特性相当于双极性晶体管的vbe -ie特性，但vbe -ie 特性是与高频用、低频用、功率放大用等用途及品种无关几乎是同一的。与此相反，jfet时，例如即使同一品种idss、vgs(off)的数值有很大差异，传输特性按各产品也不同。
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