半导体集成电路型号命名法
半导体集成电路型号命名法
半导体集成电路的型号由5部分组成，各部分的符号及意义见附表1-16。
附表1-16 半导体集成电路型号命名方法
一、国产半导体集成电路型号命名方法
(国家标准gb3430-82)
本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路(以下简称器件)。
1．型号的组成
器件的型号由五个部分组成。其五个组成的符号及意义如下：
第0部分
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示器件符合国家标准
用字母表示器件的类型
用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号
用字母表示器件的工作温度范围
用字母表示器件的封装
符号及意义
符号及意义
符号及意义
符号及意义
符号及意义
c中国制造
tttl
hhtl
eecl
ccmos
f线性放大器 d音响、视频电路
w稳压器
j接口电路
b非线性电路 m存储器
u微型机电路
c0~70℃
e -40~ 35℃
r -55~ 35℃
m -55~125℃
w 陶瓷扁平
b 塑料扁平
f 全密封扁平 d 陶瓷直插
p 塑料直插
j 黑陶瓷直插 k 金属菱形
t 金属圆形
2．示例
(1)肖特基ttl双4输入与非门
(2) cmos8选一数据选择器
(3) 通用型运算放大器
附加说明:1.本标准由全国集成电路标准化技术委员会提出(即国标型号)。
2.t000及c000系列为电子工业部提出的标准(即部标型号)。现
较通用国标。
二、国产 ttl产品系列及国外ttl电路型号含义 1．国产ttl产品系列
ttl集成电路是数字集成电路中的主要品种之一，产量和应用面均名列前茅。目前国内各生产厂大都参照美国texas(德克萨斯)公司生产的sn54/74系列产品作为ttl电路的通用系列品种。sn54/74系列各品种的主要特性如附表v-1所示。
(1) t000系列
这是参考texas的sn74系列标准，结合我国实际情况而设计的产品。其中有些品种(如与或非门、jk触发器及十进制计数器等)的引脚排列与sn74系列不一致，因此二者不能完全互换。该产品由于工艺关系，通用性较差，目前已不再发展。
(2) t1000系列
t1000系列是中速ttl系列，也称std-ttl（标准ttl）系列。该系列品种的电路结构
性能指标及引脚排列等都是仿照sn54/74系列的，因此可以和sn54/74相应集成电路直接互换使用。例如8输入端单与非门t1030与sn7430相，两者可互换。t-1000系列产品的tpd为10ns左右,噪声容限不高,一般适用与对速度和抗干扰要求不高的电子设备中。
(3) t2000高速系列
t2000为仿sn54/74h系列(可直接互换)。这个系列实际是std-ttl的改进版，主要采用了浅饱和电路结构，使得工作速度提高。它的平均延迟时间约为6ns，但功耗上升为23mw，所以它的优值比t1000系列反而大了些。国内目前t2000系列的品种较少。
(4) t3000基高速系列
该系列采用了肖特基抗饱和电路结构，速度比t2000系列提高一倍，tp d为3ns，主要适用于需要高速工作的整机。t3000系列与sn54s/74s系列相仿，两者对应产品可直接互换。如t3175四d触发器与sn74s175对应；sn74s86四异或门与t3086相当，等等。
(5) t4000低功耗肖特基系列
这是仿sn54ls/74s系列的产品，特点是低功耗，pd小于2mw，仅为t1000系列的1/5。由于功耗低，速度又略高于t1000系列，是ttl电路中fm最优的品种，很有发展前途。国内外许多厂家都把该系列作为ttl电路的主要产品系列，品种和数量均很多。今后一段时期内，在ttl电路的应用中，t4000系列产品将占明显优势。
附表 v-1sn54/74系列各品种主要特性参数
参数名称
sn74
sn74s
sn74h
sn74ls
电源电压(v)
5
5
5
5
逻辑”1”输入/输出电压(v)
2/2.4
2/2.7
2/2.4
2/2.7
逻辑”0”输入/输出电压(v)
0.8/0.4
0.8/0.5
0.8/0.4
0.8/0.5
高电平噪声容限(v)
0.4
0.7
0.4
0.7
低电平噪声容限(v)
0.4
0.3
0.4
0.4
扇出系列
10
10
10
20
每门功耗pd(mw)
10
20
23
2
平均延迟时间tpd(ns)
10
3
6
9.5
优值fm(pj)
100
60
138
19
sn54为军用系列，sn74为民用系列。sn54的工作温度范围为-55℃ ~ +125℃，供电电压偏差范围vcc=5+10%v；sn-74则分别为 0℃ ~ +70℃ 和 5+5%v，其余参数两者基本相同。
2．国外主要ttl集成电路型号的组成及含义
(1) 示例：sn74ls195j
①②③④⑤
(2) 说明:
①表示美国德克萨斯公司(texas)标准电路。
②表示工作温度范围.
54: -55 ~ +125℃;
74: 0~ +70℃
③表示系列
als: 先进的低功耗肖特基系列；
as: 先进的肖特基系列；
(空白)标准系列 ；
h: 高速系列；
l: 低功耗系列；
ls: 低功耗肖特基系列；
s: 肖特基系列。
④表示品种代号。
⑤表示封装形式。
j: 陶瓷双列直插；
t: 金属扁平；
w: 陶瓷扁平。
三、国产cmos产品系列及国外cmos型号命名法 1．cmos电路的特点及国产产品系列
cmos电路的主要特点是微功耗和高抗干扰性。其中pd要比标准ttl电路小3个数量级，是pmos电路的五百分之一，仅为10uw左右，噪声容限可达电源电压的45% ，cmos电路还具有电源电压和工作温度范围宽(分别达3 ~ 18v和-55℃ ~ +125℃) 、输入阻抗高(大于108?)、输出幅度大(输出高、低电平分别接近于电源正、负端电压) 、驱动能力强(1ma左右)及温升低等优点。
普通cmos电路在速度上还远不能与ttl电路相比，因而在中、高速领域内的应用受到很大限制。但是国内外在80年代相继开发成功的hcmos(高速cmos)电路却打破了这种局面，hcmos电路不仅在速度上达到了与标准ttl电路相同的水平(tp d=8 ~10ns)，同时保持了普通cmos电路所具有的微功耗、高抗干扰和高输入阻抗等优点。它的输出驱动(电流)能力明显强于普通cmos，与lsttl(即t4000系列产品)相当，还能在低电源电压(2v)下工作，因此大有取代std-ttl和lsttl等之势。但能否完全取代所有的ttl电路则很难说.因为ttl也在不断发展中，目前已有功耗更低(在高频下甚至有比hcmos更小的) 、速度更快的asttl(先进肖特基ttl) 、alsttl(先进低功耗肖特基ttl)和fttl(高速ttl)电路问世。
国内cmos电路的产品很多。前些年生产的部标cooo系列共有一百多个品种。按电源电压范围不同再分为三个子系列，即3 ~18v、7 ~15v、8 ~12v系列。cooo系列产品的功能和管脚与国际系列产品不完全相同，互换性差，现已不发展。近几年大力发展和生产的国标cc4000(或部标c4000)系列产品是参照美国rca公司的cc4000系列和moto公司的mc14000系列标准设计的，参数指标完全达到国际通用标准，品种也已基本配齐。
2．国外主要cmos集成电路型号命名方法
(1)型号一览表
型号
生产厂名
cc4x x x
mc14 x x x
mc145 x x
f4 x x x
hef4 x x x
scl4 x x x
tp4 x x x
μpd4 x x x
mm54c x x x
mm74c x x x
美国rca公司(美国无线电公司)；美国nsc公司(美国国家半导体公司) 美国motorola公司(美国莫托洛拉公司)
美国motorola公司(美国莫托洛拉公司)
美国fairchild公司(美国仙童公司)
荷兰philips公司(荷兰菲利浦公司)
美国sss(solid state scientific inc)公司；日本东芝公司
日本东芝公司
日本nec公司(日本电气公司)
美国nsc公司(美国国家半导体公司)
美国nsc公司(美国国家半导体公司)
(2)说明：
①上述各公司的coms集成电路产品皆分别采用上表中所列出的相应型号，其中首部字母和数字代表该公司某一确定系列的cmos集成电路产品(如cc4 x x x表示rca公司“4 x x x”系列的cmos集成电路产品)；型号的尾部数字(表示以 x x、 x x x 、x x x x 表示的数字)表示该系列的具体品种(如cc4001代表该系列的四2输入端或非门)。
②表中列出的各公司的“4 x x x”系列产品(如美国仙童公司的f4 x x x、日本东芝公司的tp4 x x x、美国莫托洛拉公司的mc14 x x x 等)只要尾部数字相同的均可直接换用。
③mc145×××为美国莫托洛拉公司另行设计、研制的产品。
iii部分常用数字集成电路引脚排列图
四2输入与非门六反向器
74ls0074ls04
三3输入与非门双4输入与非门
74ls1074ls20
4线至7段译码器/驱动器4路2-3-3-2输入与非门
74ls4874ls54
双上升沿d触发器4位d型锁存器
74ls7474ls75
双下降沿jk触发器四2输入异或门
74ls7674ls86
十进制计数器4位二进制计数器
74ls9074ls93
3线—8线译码器双4选1数据选择器
74ls13874ls153
十进制同步计数器（异步清除）4位二进制同步计数器（异步清除）
74ls16074ls161
4位二进制超前进位全加器
74ls283
四2输入与非门双4输入与非门
cc4011cc4012
四r－s锁存器（3s）六反相器
cc4043cc4069
四2输入与门双定时器
cc4081cc7556
定时器
cc7555
注：cmos电路（cc*）引脚排列图中的vdd和vss等同于ttl电路（74ls*）引脚排列图中的vcc和gnd。
一磷砷化镓发光二极管（led） 1．附录iv – 1bt201~bt301 参数表
型号名称
极限
功耗
（mw）
极限工
作电流
（ma）
正向工
作电流
（ma）
正向工
作电压
（v）
反向漏
电流
（μa）
反向击
穿电压
（v）
发光
波长
（?）
bt202磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
20~30
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt202 磷砷化
镓发光管
≤15
≤10
≤3
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt203磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
10~20
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt204 磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
20~30
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt301 磷砷化
镓发光管
100
60
30~40
1.1~1.3
100
≥5
5550
2．发光二极管使用说明
按照判别一般二极管的方法，判别len 的正负极（用万用表 r×1kω 档或×10kω档）。 使用时要加限流电阻，电流不允许超过参数表中的极限值，典型应用时电流约10ma。 当加脉冲电压时，允许通过的最大峰值电流约为极限电流icx的四倍。 二磷砷化镓数码管 1．附录iv – 2bt201~bt202 参数表
型号名称
极限
功耗
（mw）
极限工
作电流
（ma）
正向工
作电流
(ma)
正向工
作电压
（v）
反向漏
电流
（μa）
反向击
穿电压
（v）
发光
波长
（?）
bs201磷砷化镓数码管
150
100
40~80
≤1.8
≤50
≥5
6380~6800
(红色)
bs202砷化镓
数码管
300
200
60~100
1.8
≤50
≥5
6380~6800
(红色)
2．管脚排列及笔画显示图
附录iv – 1管脚排列及笔划显示
3．使用说明
数码管每一个笔画均为发光二极管，中间均为七个发光二极管的公共端。 数码管有共阴极和共阳极两种，可用万用表（r×1kω或×10kω挡）判别。应按译码器的要求选用共阴或共阳极的数码管。 使用数码管时，各段均应加上限流电阻r，阻值可按下式选择。 r=（vdd-vdf）/i seg
式中:vdd为电源电压，对0共阴数码管而言则是译码器输出高电平vox；vdf是len的正向压降，约为2v；i seg为每个笔划len的电流，i seg≈5~10ma。
一、电阻器的主要特性指标 1．额定功率
共分19个等级，其中，常用的有下列几种：
1/20w，1/8w，1/4w，1w，2w，4w，5w…
2．容许误差等级和标称阻值
容许误差等级 容许误差
±0.5%
±1%
±5%
±10%
±20%
等级
005
01
ⅰ
ⅱ
ⅲ
标称阻值系列 容许
误差
系列
代号
系列值
±20%
e6
101522334768
±10%
e12
101215182227333947566882
±5%
e24
10 11 12 13 15 16 18 2022 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 8291
任何固定式电阻器的标称值应符合表列数值或表列数值乘以10n，其中n为正数或负整数。
电阻器的阻值和误差，一般用数字标印在电阻
器上，但体积很小的和一些和成电阻器，其阻值和
误差常以色环来标志，如附图v-1所示。靠近一端
画有四道色环；第1，2 色环分别表示第一,第二
两位数字；第三色环表示再乘以10的方次，第四
色环表示阻值的容许误差。只有三个色环的表示阻
值误差为±20% 。例如，对①②③④号色环为
绿，黑，橙，金的色环电阻，其阻值为50×103ω±5%。
下表列出了色环所代表的数字大小：
色别
黑
棕
红
橙
黄
绿
蓝
紫
灰
白
金
银
本色
对应数字
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
误差
±5%
±10%
±20%
电阻器的主要特性：
名称和符号
额定功率（w）
标称阻值范围（ω）
温度系数（1/。c）
运用频率
rt型
碳膜电阻
0.05
0.125
0.25
0.5
1.2
10~100×103
5.1~510×103
5.1~910×103
5.1~2×103
5.1~5.1×103
-(6~20) ×10—4
10mhz以下
ru型
硅碳膜电阻
0.125，0.25
0.5
0.2
5.1~910×103
10~2×106
10~10×106
±(7~12) ×10—4
10mhz以下
rj 型
金属膜电阻
0.125
0.25
0.5
1.2
30~510×106
30~1×106
30~5.1×106
30~10×106
±(6~10) ×10—4
10mhz以下
rx型
线绕电阻
2.5~100
10~100×106
低频
二、电容器的主要特性指标
电容器的耐压 常用固定式电容器的直流工作电压系列为（单位为伏）：
6.3，10，16，25，62，40，50，63，100，160，250，400….
其中，32和50系列只限于电解电容器用。
电容器容许误差等级和标称容量值 按容许误差，电容器分为常见的七个等级：
容许
误差
±2%
±5%
±10%
±20%
+20%
-30%
+50%
-20%
+100%
-10%
级别
02
ⅰ
ⅱ
ⅲ
iv
v
vi
固定电容器的标称容量系列如下表所示：
名称
容许误差
容量范围
标称容量系列
纸介电容器
金属化纸介电容器
纸膜复合介电容器
低频（有极性）有机薄膜介质电容器
±5%
±10%
±20%
100ρf~1μf
1,1.5,2.2
3.3,4.7,6.8
1μf~100μf
1,2,4,6,8,10,
15,20,30,50,60,
80,100
高频（无极性）有机薄膜介质电容器
瓷介质电容器
玻璃釉电容器
云母电容器
±5%
±10%
±20%
e24
e12
e6
±20%以上
e6
固定电容器的标称容量系列（续）
名称
容许误差
容量范围
标称容量系列
铝，钽，铌电解电容器
±10%
±20%
1,1.5,2.2
3.3,4.7,6.8
（容量单位为μf）
下表列出了常用电容器的几项主要特性：
名称
型号
容量范围
直流工作
电压（v）
适用频率（mhz）
准确度
漏阻（mω）
纸介电容器
（中、小型）
cz型
470ρf~
0.22μf
63~630
8以下
±(5~20)%
>5000
金属壳密封
纸介电容器
cz3
0.01μf~
10μf
250~1600
直流
脉动直流
±(5~20)%
>1000~5000
金属化纸介电容器（中、小型）
cj
0.01μf~
0.2μf
160,250,400
8以下
±(5~20)%
>2000
金属壳密封金属化纸介电容器
cj3
0.22μf~
30μf
160~1600
直溜脉动直流
±(5~20)%
>30~50000
薄膜电容器
3ρf~
0.1μf
63~500
高频、低频
±(5~20)%
>10000
云母电容器
cy
10ρf~
0.05μf
100~7000
75~250以下
±(2~20)%
>10000
瓷介电容器
cc
1ρf~
0.1μf
63~630
低频高频50~3000以下
±(2~20)%
>10000
铝电解电容器
cc
1~
10000μf
4~500
直溜脉动直流
+20 +50
% ~%
-30-20
钽、铌电解电容器
ca cn
0.47μf~1000μf
6.3~160
直溜脉动直流
+20
±20% ~%
-30
瓷介微调电容器
ccw
2/7ρf ~
7/25ρf
250~500
高频
>1000~10000
可变电容器
cb
最小>7ρf
最大<1000ρf
100以下
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半导体集成电路的型号由5部分组成，各部分的符号及意义见附表1-16。
附表1-16 半导体集成电路型号命名方法
一、国产半导体集成电路型号命名方法
(国家标准gb3430-82)
本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路(以下简称器件)。
1．型号的组成
器件的型号由五个部分组成。其五个组成的符号及意义如下：
第0部分
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示器件符合国家标准
用字母表示器件的类型
用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号
用字母表示器件的工作温度范围
用字母表示器件的封装
符号及意义
符号及意义
符号及意义
符号及意义
符号及意义
c中国制造
tttl
hhtl
eecl
ccmos
f线性放大器 d音响、视频电路
w稳压器
j接口电路
b非线性电路 m存储器
u微型机电路
c0~70℃
e -40~ 35℃
r -55~ 35℃
m -55~125℃
w 陶瓷扁平
b 塑料扁平
f 全密封扁平 d 陶瓷直插
p 塑料直插
j 黑陶瓷直插 k 金属菱形
t 金属圆形
2．示例
(1)肖特基ttl双4输入与非门
(2) cmos8选一数据选择器
(3) 通用型运算放大器
附加说明:1.本标准由全国集成电路标准化技术委员会提出(即国标型号)。
2.t000及c000系列为电子工业部提出的标准(即部标型号)。现
较通用国标。
二、国产 ttl产品系列及国外ttl电路型号含义 1．国产ttl产品系列
ttl集成电路是数字集成电路中的主要品种之一，产量和应用面均名列前茅。目前国内各生产厂大都参照美国texas(德克萨斯)公司生产的sn54/74系列产品作为ttl电路的通用系列品种。sn54/74系列各品种的主要特性如附表v-1所示。
(1) t000系列
这是参考texas的sn74系列标准，结合我国实际情况而设计的产品。其中有些品种(如与或非门、jk触发器及十进制计数器等)的引脚排列与sn74系列不一致，因此二者不能完全互换。该产品由于工艺关系，通用性较差，目前已不再发展。
(2) t1000系列
t1000系列是中速ttl系列，也称std-ttl（标准ttl）系列。该系列品种的电路结构
性能指标及引脚排列等都是仿照sn54/74系列的，因此可以和sn54/74相应集成电路直接互换使用。例如8输入端单与非门t1030与sn7430相，两者可互换。t-1000系列产品的tpd为10ns左右,噪声容限不高,一般适用与对速度和抗干扰要求不高的电子设备中。
(3) t2000高速系列
t2000为仿sn54/74h系列(可直接互换)。这个系列实际是std-ttl的改进版，主要采用了浅饱和电路结构，使得工作速度提高。它的平均延迟时间约为6ns，但功耗上升为23mw，所以它的优值比t1000系列反而大了些。国内目前t2000系列的品种较少。
(4) t3000基高速系列
该系列采用了肖特基抗饱和电路结构，速度比t2000系列提高一倍，tp d为3ns，主要适用于需要高速工作的整机。t3000系列与sn54s/74s系列相仿，两者对应产品可直接互换。如t3175四d触发器与sn74s175对应；sn74s86四异或门与t3086相当，等等。
(5) t4000低功耗肖特基系列
这是仿sn54ls/74s系列的产品，特点是低功耗，pd小于2mw，仅为t1000系列的1/5。由于功耗低，速度又略高于t1000系列，是ttl电路中fm最优的品种，很有发展前途。国内外许多厂家都把该系列作为ttl电路的主要产品系列，品种和数量均很多。今后一段时期内，在ttl电路的应用中，t4000系列产品将占明显优势。
附表 v-1sn54/74系列各品种主要特性参数
参数名称
sn74
sn74s
sn74h
sn74ls
电源电压(v)
5
5
5
5
逻辑”1”输入/输出电压(v)
2/2.4
2/2.7
2/2.4
2/2.7
逻辑”0”输入/输出电压(v)
0.8/0.4
0.8/0.5
0.8/0.4
0.8/0.5
高电平噪声容限(v)
0.4
0.7
0.4
0.7
低电平噪声容限(v)
0.4
0.3
0.4
0.4
扇出系列
10
10
10
20
每门功耗pd(mw)
10
20
23
2
平均延迟时间tpd(ns)
10
3
6
9.5
优值fm(pj)
100
60
138
19
sn54为军用系列，sn74为民用系列。sn54的工作温度范围为-55℃ ~ +125℃，供电电压偏差范围vcc=5+10%v；sn-74则分别为 0℃ ~ +70℃ 和 5+5%v，其余参数两者基本相同。
2．国外主要ttl集成电路型号的组成及含义
(1) 示例：sn74ls195j
①②③④⑤
(2) 说明:
①表示美国德克萨斯公司(texas)标准电路。
②表示工作温度范围.
54: -55 ~ +125℃;
74: 0~ +70℃
③表示系列
als: 先进的低功耗肖特基系列；
as: 先进的肖特基系列；
(空白)标准系列 ；
h: 高速系列；
l: 低功耗系列；
ls: 低功耗肖特基系列；
s: 肖特基系列。
④表示品种代号。
⑤表示封装形式。
j: 陶瓷双列直插；
t: 金属扁平；
w: 陶瓷扁平。
三、国产cmos产品系列及国外cmos型号命名法 1．cmos电路的特点及国产产品系列
cmos电路的主要特点是微功耗和高抗干扰性。其中pd要比标准ttl电路小3个数量级，是pmos电路的五百分之一，仅为10uw左右，噪声容限可达电源电压的45% ，cmos电路还具有电源电压和工作温度范围宽(分别达3 ~ 18v和-55℃ ~ +125℃) 、输入阻抗高(大于108?)、输出幅度大(输出高、低电平分别接近于电源正、负端电压) 、驱动能力强(1ma左右)及温升低等优点。
普通cmos电路在速度上还远不能与ttl电路相比，因而在中、高速领域内的应用受到很大限制。但是国内外在80年代相继开发成功的hcmos(高速cmos)电路却打破了这种局面，hcmos电路不仅在速度上达到了与标准ttl电路相同的水平(tp d=8 ~10ns)，同时保持了普通cmos电路所具有的微功耗、高抗干扰和高输入阻抗等优点。它的输出驱动(电流)能力明显强于普通cmos，与lsttl(即t4000系列产品)相当，还能在低电源电压(2v)下工作，因此大有取代std-ttl和lsttl等之势。但能否完全取代所有的ttl电路则很难说.因为ttl也在不断发展中，目前已有功耗更低(在高频下甚至有比hcmos更小的) 、速度更快的asttl(先进肖特基ttl) 、alsttl(先进低功耗肖特基ttl)和fttl(高速ttl)电路问世。
国内cmos电路的产品很多。前些年生产的部标cooo系列共有一百多个品种。按电源电压范围不同再分为三个子系列，即3 ~18v、7 ~15v、8 ~12v系列。cooo系列产品的功能和管脚与国际系列产品不完全相同，互换性差，现已不发展。近几年大力发展和生产的国标cc4000(或部标c4000)系列产品是参照美国rca公司的cc4000系列和moto公司的mc14000系列标准设计的，参数指标完全达到国际通用标准，品种也已基本配齐。
2．国外主要cmos集成电路型号命名方法
(1)型号一览表
型号
生产厂名
cc4x x x
mc14 x x x
mc145 x x
f4 x x x
hef4 x x x
scl4 x x x
tp4 x x x
μpd4 x x x
mm54c x x x
mm74c x x x
美国rca公司(美国无线电公司)；美国nsc公司(美国国家半导体公司) 美国motorola公司(美国莫托洛拉公司)
美国motorola公司(美国莫托洛拉公司)
美国fairchild公司(美国仙童公司)
荷兰philips公司(荷兰菲利浦公司)
美国sss(solid state scientific inc)公司；日本东芝公司
日本东芝公司
日本nec公司(日本电气公司)
美国nsc公司(美国国家半导体公司)
美国nsc公司(美国国家半导体公司)
(2)说明：
①上述各公司的coms集成电路产品皆分别采用上表中所列出的相应型号，其中首部字母和数字代表该公司某一确定系列的cmos集成电路产品(如cc4 x x x表示rca公司“4 x x x”系列的cmos集成电路产品)；型号的尾部数字(表示以 x x、 x x x 、x x x x 表示的数字)表示该系列的具体品种(如cc4001代表该系列的四2输入端或非门)。
②表中列出的各公司的“4 x x x”系列产品(如美国仙童公司的f4 x x x、日本东芝公司的tp4 x x x、美国莫托洛拉公司的mc14 x x x 等)只要尾部数字相同的均可直接换用。
③mc145×××为美国莫托洛拉公司另行设计、研制的产品。
iii部分常用数字集成电路引脚排列图
四2输入与非门六反向器
74ls0074ls04
三3输入与非门双4输入与非门
74ls1074ls20
4线至7段译码器/驱动器4路2-3-3-2输入与非门
74ls4874ls54
双上升沿d触发器4位d型锁存器
74ls7474ls75
双下降沿jk触发器四2输入异或门
74ls7674ls86
十进制计数器4位二进制计数器
74ls9074ls93
3线—8线译码器双4选1数据选择器
74ls13874ls153
十进制同步计数器（异步清除）4位二进制同步计数器（异步清除）
74ls16074ls161
4位二进制超前进位全加器
74ls283
四2输入与非门双4输入与非门
cc4011cc4012
四r－s锁存器（3s）六反相器
cc4043cc4069
四2输入与门双定时器
cc4081cc7556
定时器
cc7555
注：cmos电路（cc*）引脚排列图中的vdd和vss等同于ttl电路（74ls*）引脚排列图中的vcc和gnd。
一磷砷化镓发光二极管（led） 1．附录iv – 1bt201~bt301 参数表
型号名称
极限
功耗
（mw）
极限工
作电流
（ma）
正向工
作电流
（ma）
正向工
作电压
（v）
反向漏
电流
（μa）
反向击
穿电压
（v）
发光
波长
（?）
bt202磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
20~30
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt202 磷砷化
镓发光管
≤15
≤10
≤3
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt203磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
10~20
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt204 磷砷化
镓发光管
≤100
≤70
20~30
≤2
≤50
≥5
6300~6800
bt301 磷砷化
镓发光管
100
60
30~40
1.1~1.3
100
≥5
5550
2．发光二极管使用说明
按照判别一般二极管的方法，判别len 的正负极（用万用表 r×1kω 档或×10kω档）。 使用时要加限流电阻，电流不允许超过参数表中的极限值，典型应用时电流约10ma。 当加脉冲电压时，允许通过的最大峰值电流约为极限电流icx的四倍。 二磷砷化镓数码管 1．附录iv – 2bt201~bt202 参数表
型号名称
极限
功耗
（mw）
极限工
作电流
（ma）
正向工
作电流
(ma)
正向工
作电压
（v）
反向漏
电流
（μa）
反向击
穿电压
（v）
发光
波长
（?）
bs201磷砷化镓数码管
150
100
40~80
≤1.8
≤50
≥5
6380~6800
(红色)
bs202砷化镓
数码管
300
200
60~100
1.8
≤50
≥5
6380~6800
(红色)
2．管脚排列及笔画显示图
附录iv – 1管脚排列及笔划显示
3．使用说明
数码管每一个笔画均为发光二极管，中间均为七个发光二极管的公共端。 数码管有共阴极和共阳极两种，可用万用表（r×1kω或×10kω挡）判别。应按译码器的要求选用共阴或共阳极的数码管。 使用数码管时，各段均应加上限流电阻r，阻值可按下式选择。 r=（vdd-vdf）/i seg
式中:vdd为电源电压，对0共阴数码管而言则是译码器输出高电平vox；vdf是len的正向压降，约为2v；i seg为每个笔划len的电流，i seg≈5~10ma。
一、电阻器的主要特性指标 1．额定功率
共分19个等级，其中，常用的有下列几种：
1/20w，1/8w，1/4w，1w，2w，4w，5w…
2．容许误差等级和标称阻值
容许误差等级 容许误差
±0.5%
±1%
±5%
±10%
±20%
等级
005
01
ⅰ
ⅱ
ⅲ
标称阻值系列 容许
误差
系列
代号
系列值
±20%
e6
101522334768
±10%
e12
101215182227333947566882
±5%
e24
10 11 12 13 15 16 18 2022 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 8291
任何固定式电阻器的标称值应符合表列数值或表列数值乘以10n，其中n为正数或负整数。
电阻器的阻值和误差，一般用数字标印在电阻
器上，但体积很小的和一些和成电阻器，其阻值和
误差常以色环来标志，如附图v-1所示。靠近一端
画有四道色环；第1，2 色环分别表示第一,第二
两位数字；第三色环表示再乘以10的方次，第四
色环表示阻值的容许误差。只有三个色环的表示阻
值误差为±20% 。例如，对①②③④号色环为
绿，黑，橙，金的色环电阻，其阻值为50×103ω±5%。
下表列出了色环所代表的数字大小：
色别
黑
棕
红
橙
黄
绿
蓝
紫
灰
白
金
银
本色
对应数字
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
误差
±5%
±10%
±20%
电阻器的主要特性：
名称和符号
额定功率（w）
标称阻值范围（ω）
温度系数（1/。c）
运用频率
rt型
碳膜电阻
0.05
0.125
0.25
0.5
1.2
10~100×103
5.1~510×103
5.1~910×103
5.1~2×103
5.1~5.1×103
-(6~20) ×10—4
10mhz以下
ru型
硅碳膜电阻
0.125，0.25
0.5
0.2
5.1~910×103
10~2×106
10~10×106
±(7~12) ×10—4
10mhz以下
rj 型
金属膜电阻
0.125
0.25
0.5
1.2
30~510×106
30~1×106
30~5.1×106
30~10×106
±(6~10) ×10—4
10mhz以下
rx型
线绕电阻
2.5~100
10~100×106
低频
二、电容器的主要特性指标
电容器的耐压 常用固定式电容器的直流工作电压系列为（单位为伏）：
6.3，10，16，25，62，40，50，63，100，160，250，400….
其中，32和50系列只限于电解电容器用。
电容器容许误差等级和标称容量值 按容许误差，电容器分为常见的七个等级：
容许
误差
±2%
±5%
±10%
±20%
+20%
-30%
+50%
-20%
+100%
-10%
级别
02
ⅰ
ⅱ
ⅲ
iv
v
vi
固定电容器的标称容量系列如下表所示：
名称
容许误差
容量范围
标称容量系列
纸介电容器
金属化纸介电容器
纸膜复合介电容器
低频（有极性）有机薄膜介质电容器
±5%
±10%
±20%
100ρf~1μf
1,1.5,2.2
3.3,4.7,6.8
1μf~100μf
1,2,4,6,8,10,
15,20,30,50,60,
80,100
高频（无极性）有机薄膜介质电容器
瓷介质电容器
玻璃釉电容器
云母电容器
±5%
±10%
±20%
e24
e12
e6
±20%以上
e6
固定电容器的标称容量系列（续）
名称
容许误差
容量范围
标称容量系列
铝，钽，铌电解电容器
±10%
±20%
1,1.5,2.2
3.3,4.7,6.8
（容量单位为μf）
下表列出了常用电容器的几项主要特性：
名称
型号
容量范围
直流工作
电压（v）
适用频率（mhz）
准确度
漏阻（mω）
纸介电容器
（中、小型）
cz型
470ρf~
0.22μf
63~630
8以下
±(5~20)%
>5000
金属壳密封
纸介电容器
cz3
0.01μf~
10μf
250~1600
直流
脉动直流
±(5~20)%
>1000~5000
金属化纸介电容器（中、小型）
cj
0.01μf~
0.2μf
160,250,400
8以下
±(5~20)%
>2000
金属壳密封金属化纸介电容器
cj3
0.22μf~
30μf
160~1600
直溜脉动直流
±(5~20)%
>30~50000
薄膜电容器
3ρf~
0.1μf
63~500
高频、低频
±(5~20)%
>10000
云母电容器
cy
10ρf~
0.05μf
100~7000
75~250以下
±(2~20)%
>10000
瓷介电容器
cc
1ρf~
0.1μf
63~630
低频高频50~3000以下
±(2~20)%
>10000
铝电解电容器
cc
1~
10000μf
4~500
直溜脉动直流
+20 +50
% ~%
-30-20
钽、铌电解电容器
ca cn
0.47μf~1000μf
6.3~160
直溜脉动直流
+20
±20% ~%
-30
瓷介微调电容器
ccw
2/7ρf ~
7/25ρf
250~500
高频
>1000~10000
可变电容器
cb
最小>7ρf
最大<1000ρf
100以下
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