74hc164d引脚图及功能
74hc164d 是高速硅门 cmos 器件，与低功耗肖特基型 ttl （lsttl） 器件的引脚兼容。74hc164d 是 8 位边沿触发式移位寄存器，串行输入数据，然后并行输出。数据通过两个输入端（dsa 或 dsb）之一串行输入；任一输入端可以用作高电平使能端，控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起，或者把不用的输入端接高电平，一定不要悬空。
时钟 （cp） 每次由低变高时，数据右移一位，输入到 q0， q0 是两个数据输入端（dsa 和 dsb）的逻辑与，它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。
主复位 （mr） 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效，同时非同步地清除寄存器，强制所有的输出为低电平。
74hc164d特性： 门控串行数据输入。
异步中央复位。
符合 jedec 标准 no. 7a。
静电放电（esd）保护：
hbm eia/jesd22-a114-b 超过 2000 v。
mm eia/jesd22-a115-a 超过 200 v 。
多种封装形式。
额定从 -40 °c 至 +85 °c 和 -40 °c 至 +125 °c 。
74hc164d型号标识及主要参数：
74hc164d引脚图及引脚说明 74hc164d引脚图：
74hc164d引脚信息：
dip14、so14、ssop14 和 tssop14 封装的引脚配置
74hc164d引脚说明：
74hc164d功能表：
h = high（高）电平
h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 （set-up time） 的 high（高）电平
l = low（低）电平
l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 （set-up time） 的 low（低）电平
q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 （referenced input） 的状态
↑ = 低-至-高时钟跃变
74hc164d极限值
符合绝对最大额定值体系 （iec 60134） 的规定。电压参考点为 gnd（地 = 0 v）。
［1］ 对于 dip14 封装：ptot 在超过 70 °c 时以 12 mw/k 的速度线性降低。
［2］ 对于 so14 封装：ptot 在超过 70 °c 时以 8 mw/k 的速度线性降低。
对于 ssop14 和 tssop14 封装：ptot 在超过 60 °c 时以 5.5 mw/k 的速度线性降低。
对于 dhvqfn14 封装：ptot 在超过 60 °c 时以 4.5 mw/k 的速度线性降低。
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符合 jedec 标准 no. 7a。
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mm eia/jesd22-a115-a 超过 200 v 。
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74hc164d引脚信息：
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h = high（高）电平
h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 （set-up time） 的 high（高）电平
l = low（低）电平
l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 （set-up time） 的 low（低）电平
q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 （referenced input） 的状态
↑ = 低-至-高时钟跃变
74hc164d极限值
符合绝对最大额定值体系 （iec 60134） 的规定。电压参考点为 gnd（地 = 0 v）。
［1］ 对于 dip14 封装：ptot 在超过 70 °c 时以 12 mw/k 的速度线性降低。
［2］ 对于 so14 封装：ptot 在超过 70 °c 时以 8 mw/k 的速度线性降低。
对于 ssop14 和 tssop14 封装：ptot 在超过 60 °c 时以 5.5 mw/k 的速度线性降低。
对于 dhvqfn14 封装：ptot 在超过 60 °c 时以 4.5 mw/k 的速度线性降低。
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