PN结的反向击穿说明
当pn结外加反向电压|vd|小于击穿电压（vbr）时，id≈–is。is很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|vbr|后，反向电流会突然增大，此时pn结处于“反向击穿”状态。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范围内，pn结两端电压几乎不变。
反向击穿分为电击穿和热击穿，电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿。pn结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使pn结发热，把pn结烧毁。热击穿是不可逆的。
pn结的雪崩击穿符号
当pn结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， pn结就发生雪崩击穿。
齐纳击穿
在加有较高的反向电压下，pn结空间电荷区中存一个强电场，它能够破坏共价键，将束缚电子分离出来产生电子–空穴对，形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为2×105v/cm，这只有在杂质浓度特别大的pn结中才能达到。因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度（即杂质离子）也大，因而空间电荷区很窄，电场强度可能很高。
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