整流二极管工作原理是什么?
整流二极管工作原理是什么?
a. 半导体的基本知识
多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制成的。为了从电路的观点理解这些器件的性能，首先必须从物理的角度了解它们是如何工作的。
一、半导体材料
从导电性能上看，物质材料可分为三大类：
导体： 电阻率ρ < 10-4 ，电阻变小。这时的外加电压称为正向电压或正向偏置电压用vf表示。
在vf作用下，通过pn结的电流称为正向电流if。外加正向电压的电路如图所示。
2、外加反向电压
当pn结外加反向电压时，外电场与内电场的方向相同，内电场变强，结果使空间电荷区（pn结）变宽, 同时空间电荷区中载流子的浓度减小，电阻变大。这时的外加电压称为反向电压或反向偏置电压用vr表示。在vr作用下，通过pn结的电流称为反向电流ir或称为反向饱和电流is。如下图所示。
3、pn结的伏安特性
根据理论分析，pn结的伏安特性可以表达为：
式中id为通过pn结的电流，vd为pn结两端的外加电压；vt为温度的电压当量=kt/q=t/11600=0.026v， 其中k为波尔慈曼常数（1.38×10-23j/k），t为绝对温度（300k），q为电子电荷（1.6×10-19c） ；e为自然对数的底；is为反向饱和电流。
整流二极管工作原理c. 半导体二极管的结构
半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类。
点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成pn结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图 2.7所示。由于点接触型二极管金属丝很细， 形成的pn结面积很小， 所以，也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件， 也可用来作小电流整流。 如2apl是点接触型锗二极管， 最大整流电流为16ma， 最高工作频率为15omhz。
面接触型或称面结型二极管的pn结是用合金法或扩散法做成的，其结构如图2.7 所示。由于这种二极管的pn结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频电路中。如2cpl为面接触型硅二极管，最大整流电流为40oma， 最高工作频率只有3khz。
图2.7中的硅工艺平面型二极管结构图， 是集成电路中常见的一种形式。代表二极管的符号也在图2.7中示出。
部分二极管实物如图2.8所示。
整流二极管工作原理d 、二极管的伏安特性:
实际。由图可以看出，二极管的v-i特性和pn结的v-i特性(图2.6)基本上是相同的。下面对二极管v-i特性分三部分加以说明:
1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的v-i特性
对应于图2.9（b）的第①段为正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服pn结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压vth(又称死区电压)约为0·5v，锗管的vth约为0·lv，当正向电压大于vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。
2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的v-i特性
p型半导体中的少数载流子（电子）和n型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过pn结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管na级，锗管大ma级。
温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。
3、反向击穿特性：二极管击穿时的v-i特性
当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于图2.9的第③段，其原因与pn结击穿相同。
整流二极管的原理
测试整流二极管主要测试晰度和色彩还原性、照度、逆光补偿，其次是测其整流二极管失真、耗电量、最低工作电压，下面先把清晰度和色彩还原性以及照度、逆光补偿的测量步骤先介绍一下。
1 ．清晰度的测量：多个整流二极管进行测试时，应使用相同镜头，（推荐使作定焦、二可变镜头），以测试卡中心圆出现在监视器屏幕的左右边为准，清晰准确的数出已给的刻度线共 10 组垂直线和 10 组水平线。分别代表着垂直清晰度和水平清晰度，并相应的一组已给出了线数。如垂直 350 线水平 800 线，此时最好用黑白整流二极管。测试时可在远景物聚焦，也可边测边聚焦。最好能两者兼用，可看出此整流二极管的差异（对远近会聚）。
2 ．整流二极管彩色还原性的测试：测试此参数应选好的彩色监视器。首先远距离观察人物、服饰，看有无颜色失真，拿色彩鲜明的物体对比，看整流二极管反应灵敏度，拿彩色画册放在整流二极管前，看画面勾勒得清晰程度，过淡或过浓，再次应对运动的彩色物体进行摄像，看有无彩色拖尾、延滞、模糊等。测试条件如此整流二极管最代照度在 50v 时应在 50+10v 照度情况下测量，即每整流二极管最代照度基础上加十伏，且光圈应保持最接近状态。
3 ．照度：将整流二极管置于暗室，暗室前后为有源 220v 自炽灯，处设调压器，以调压器调节电压高代来调节暗室内灯的明暗，电压可以从 0v 调到 250v 。室内光照也可从最暗调至最明，测试时把整流二极管光圈均开至最大时记录下一个最低照度值（把有源灯用调压器调暗至看不清暗室内置画面）再把光圈打至最小再记录下一个最低照度值，也可前后灯分别调压明灭。
4 ．整流二极管逆光补偿：测试此参数有两种方法：一种是在暗室内，把整流二极管前侧调压灯打开，调至最亮时，然后在灯的下方放置一图画或文字，把整流二极管迎光摄像，看图像和文字能否看清，画面刺不刺眼，并调节 al 、 ax 拔档开关，看有无变化，哪种效果最好。另一种是在阳光充足的情况下把整流二极管向窗外照，此时看图像和文字能否看清楚。
5 ．整流二极管失真：看整流二极管失真把测试卡置于整流二极管前端使整个球体出现在屏幕上，看圆球形有无椭圆，把摄像机前移，看圆中心有无放大，再远距离测试边、角、框有无弧形失真等。
6 ．整流二极管耗电量：最低工作电压，使用万用表测量电流，使用小稳压器调节电压看
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多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制成的。为了从电路的观点理解这些器件的性能，首先必须从物理的角度了解它们是如何工作的。
一、半导体材料
从导电性能上看，物质材料可分为三大类：
导体： 电阻率ρ < 10-4 ，电阻变小。这时的外加电压称为正向电压或正向偏置电压用vf表示。
在vf作用下，通过pn结的电流称为正向电流if。外加正向电压的电路如图所示。
2、外加反向电压
当pn结外加反向电压时，外电场与内电场的方向相同，内电场变强，结果使空间电荷区（pn结）变宽, 同时空间电荷区中载流子的浓度减小，电阻变大。这时的外加电压称为反向电压或反向偏置电压用vr表示。在vr作用下，通过pn结的电流称为反向电流ir或称为反向饱和电流is。如下图所示。
3、pn结的伏安特性
根据理论分析，pn结的伏安特性可以表达为：
式中id为通过pn结的电流，vd为pn结两端的外加电压；vt为温度的电压当量=kt/q=t/11600=0.026v， 其中k为波尔慈曼常数（1.38×10-23j/k），t为绝对温度（300k），q为电子电荷（1.6×10-19c） ；e为自然对数的底；is为反向饱和电流。
整流二极管工作原理c. 半导体二极管的结构
半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类。
点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成pn结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图 2.7所示。由于点接触型二极管金属丝很细， 形成的pn结面积很小， 所以，也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件， 也可用来作小电流整流。 如2apl是点接触型锗二极管， 最大整流电流为16ma， 最高工作频率为15omhz。
面接触型或称面结型二极管的pn结是用合金法或扩散法做成的，其结构如图2.7 所示。由于这种二极管的pn结面积大，可承受较大的电流，但极间电容也大。这类器件适用于整流，而不宜用于高频电路中。如2cpl为面接触型硅二极管，最大整流电流为40oma， 最高工作频率只有3khz。
图2.7中的硅工艺平面型二极管结构图， 是集成电路中常见的一种形式。代表二极管的符号也在图2.7中示出。
部分二极管实物如图2.8所示。
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实际。由图可以看出，二极管的v-i特性和pn结的v-i特性(图2.6)基本上是相同的。下面对二极管v-i特性分三部分加以说明:
1、正向特性：二极管外加正向偏置电压时的v-i特性
对应于图2.9（b）的第①段为正向特性，此时加于二极管的正向电压只有零点几伏，但相对来说流过管子的电流却很大，因此管子呈现的正向电阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向电压较小，外电场还不足以克服pn结的内电场，因而这时的正向电流几乎为零，二极管呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 硅管的门坎电压vth(又称死区电压)约为0·5v，锗管的vth约为0·lv，当正向电压大于vth时，内电场大为削弱，电流因而迅速增长。
2、反向特性：二极管外加反向偏置电压时的v-i特性
p型半导体中的少数载流子（电子）和n型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过pn结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管na级，锗管大ma级。
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测试整流二极管主要测试晰度和色彩还原性、照度、逆光补偿，其次是测其整流二极管失真、耗电量、最低工作电压，下面先把清晰度和色彩还原性以及照度、逆光补偿的测量步骤先介绍一下。
1 ．清晰度的测量：多个整流二极管进行测试时，应使用相同镜头，（推荐使作定焦、二可变镜头），以测试卡中心圆出现在监视器屏幕的左右边为准，清晰准确的数出已给的刻度线共 10 组垂直线和 10 组水平线。分别代表着垂直清晰度和水平清晰度，并相应的一组已给出了线数。如垂直 350 线水平 800 线，此时最好用黑白整流二极管。测试时可在远景物聚焦，也可边测边聚焦。最好能两者兼用，可看出此整流二极管的差异（对远近会聚）。
2 ．整流二极管彩色还原性的测试：测试此参数应选好的彩色监视器。首先远距离观察人物、服饰，看有无颜色失真，拿色彩鲜明的物体对比，看整流二极管反应灵敏度，拿彩色画册放在整流二极管前，看画面勾勒得清晰程度，过淡或过浓，再次应对运动的彩色物体进行摄像，看有无彩色拖尾、延滞、模糊等。测试条件如此整流二极管最代照度在 50v 时应在 50+10v 照度情况下测量，即每整流二极管最代照度基础上加十伏，且光圈应保持最接近状态。
3 ．照度：将整流二极管置于暗室，暗室前后为有源 220v 自炽灯，处设调压器，以调压器调节电压高代来调节暗室内灯的明暗，电压可以从 0v 调到 250v 。室内光照也可从最暗调至最明，测试时把整流二极管光圈均开至最大时记录下一个最低照度值（把有源灯用调压器调暗至看不清暗室内置画面）再把光圈打至最小再记录下一个最低照度值，也可前后灯分别调压明灭。
4 ．整流二极管逆光补偿：测试此参数有两种方法：一种是在暗室内，把整流二极管前侧调压灯打开，调至最亮时，然后在灯的下方放置一图画或文字，把整流二极管迎光摄像，看图像和文字能否看清，画面刺不刺眼，并调节 al 、 ax 拔档开关，看有无变化，哪种效果最好。另一种是在阳光充足的情况下把整流二极管向窗外照，此时看图像和文字能否看清楚。
5 ．整流二极管失真：看整流二极管失真把测试卡置于整流二极管前端使整个球体出现在屏幕上，看圆球形有无椭圆，把摄像机前移，看圆中心有无放大，再远距离测试边、角、框有无弧形失真等。
6 ．整流二极管耗电量：最低工作电压，使用万用表测量电流，使用小稳压器调节电压看
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