空腔-SOI衬底制造MEMS谐振器的工艺流程
常规的绝缘层上硅 (silicon on insulator, soi）是通过注氧隔离 (separation by implanted oxygen, simox)、智能切割 （smart cut） 等方法在体硅衬底中引入绝缘层，从而达到表层硅与衬底硅电学隔离的目的的。如果在制作soi 硅片的过程中，先在下层硅片上刻蚀出硅槽，然后再进行键合和抛光减薄，即可制造出带空腔的 so1 硅片，称为空腔-soi ( caviy-soi )。
对于 mems 行业而言，使用空腔-soi 衬底的优势在于：
① 可消除多晶硅中常见的应力问题;
② 对于 mems 谐振器而言，高精度的膜厚可以带來高精度的振荡频率；
③ 极佳的表面及侧壁平滑度；
④ 更薄的结构；
⑤ 提高了 mems 部件热导率；
⑥大大降低制造时间，节约成本；
相比于传统的 soi 衬底，空腔-soi 衬底更适于加工需要垂直或水平运动的结构（如电容式惯性传感器、压力传感器、传声器、射频器件和微流控器件）因为腔体在空腔-soi 衬底制造中可以很好地定义出来，配合干法刻蚀，可以很容易地释放可动结构，大大缩短了开发时间。
利用空腔-soi 衬底制造 mems 谐振器的工艺流程：
① 减薄上层硅的厚度（可以通过cmp、湿法刻蚀或干法刻蚀等方法）；
② 电极制作；
③ 光刻出结构图形，使用 drie 刻蚀硅以释放可动结构。
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