IBM针对RF芯片代工升级制程技术
在市场再度传言 ibm 将出售其晶片部门的同时，该公司正在加速量产新一代绝缘上覆矽(silicon-on-insulator，soi)与矽锗(silicon germanium，sige)制程，以扩大在射频(rf)晶片代工市场的占有率;该类晶片传统上大多是采用更稀有的砷化镓(gallium arsenide，gaas)制程。
ibm的两种新制程都在该公司只提供晶圆代工的美国佛州burlington晶圆厂运作，该座8寸晶圆厂以往曾生产ibm高阶伺服器处理器以及相关晶片，不过那些晶片的生产已经移往位于纽约州east fishkill的 12寸晶圆厂。burlington晶圆厂为广泛的客户提供 cmos、soi与sige等多种制程，但现在打算将制程种类减少，集中资源在生产rf晶片的soi制程等技术上;该种制程目前也是ibm晶圆代工业务中成长最快的。
不过ibm并未透露该晶圆厂的产能规模以及营收，仅表示该公司自四年前开始生产soi制程rf晶片迄今，该类晶片已经累计出货达70亿颗──光是去年出货量就达30亿颗;那些晶片主要是供应手机与无线通讯基地台应用。
接受eetimes美国版编辑访问的ibm代表都不愿针对晶片部门出售传言发表意见，这些专家都是该公司类比制造部门的资深人才，只谈技术。ibm专门生产rf晶片的最新soi制程代号为 7sw，以制造rf交换器为主，还有一些功率放大器;无论是蜂巢式通讯或是wi-fi设备，为因应对多重频段的支援，对这类元件需求越来越高。
在ibm任职25年、五年前开始负责rf soi业务的rf前端技术开发经理mark jaffe表示：「较新一代的智慧型手机内含8~12颗rf交换器，rf前端的构造非常复杂，主要原因是我们现在有采用载波聚合(carrier aggregation)的 advanced lte 技术，支援很多载波路径以及频段。
ibm为rf晶片量身打造的soi制程技术
7sw是一种1.3微米/1.8微米混合制程，号称能提升rf交换器性能30%，同时将晶片面积尺寸缩小30%。「我们重新打造了交换器电晶体，将焦点集中在决定漏电的导通电阻(resistance-on)与关断电容(capacitance-off);」jaffe表示：「其次我们提升了交换器电晶体的击穿电压(breakdown voltage)，通常你得堆叠电晶体以承受高电压需求，但现在你可以建立一个短一点的堆叠以缩减晶片面积。
此外ibm也改善了电晶体的线性度，将三次谐波失真(the third harmonic distortion)降低了8db。事实上7sw制程幕后的核心团队大概只有10个人、工作了18个月;该团队约是从 2006年开始研发rf晶片专用的soi制程。而为了建立第二供应来源，ibm已将位于法国的一座旧晶圆厂独立为新公司altis。
在ibm任职14年、负责向无线领域客户行销晶圆代工业务的sara mellinger表示，过去包括skyworks等市场领导级rf晶片供应商，是采用砷化镓制程制造rf前端晶片，但现在该类晶片已经大幅转向采用sige或soi制程。
目前在soi制程rf晶片代工领域，tower jazz是ibm最大的竞争对手，此外cmos制程晶圆代工大厂globalfoundries 与台积电(tsmc)也准备切入soi制程抢相关商机。目前ibm的7sw制程已经在品质验证阶段，并为关键客户提供晶片样品，预计 2015年正式量产。
ibm的sige制程迈向90奈米节点
至于ibm代号9hp的sige bicmos制程技术则是90奈米节点，能支援360 ghz最高振荡频率(fmax)、300+ ghz截止频率(ft)，因应60~80ghz运作频率的各种晶片所需阈值。而采用90奈米制程节点，则能实现接近soi、媲美砷化镓制程之更紧密、低功耗的设计，可生产包括60ghz的wi-fi晶片、蜂巢式骨干网路晶片组、高阶测试设备用晶片、光学收发器，以及规模虽小、成长快速的车用雷达晶片，还有航太军事应用雷达晶片。
「这将会是被大幅应用的技术;」自1980年代就投入开发sige技术(当时应用于生产ibm伺服器处理器晶片)的ibm院士david harame表示，目前大多数sige技术都是采用0.18或0.13微米制程节点，ibm是最近才领先宣布进入90奈米节点。
9hp制程是ibm的一个十人小组花了四年时间开发，目前已提供数家关键客户试用，预计8月能通过品质验证。如同soi制程，ibm也将提供9hp制程的开发套件，此外该公司也提供客制化的介电质附加模组(dielectric add-on modules)以及毫米波工具组。harame强调：「这并非是产业界常见的服务，你在其他先进cmos晶圆厂或12寸晶圆厂就找不到这些东西。」
该团队也表示，sige制程市场正呈现成长态势，因为目前蜂巢式骨干网路正迈向采用60ghz连结技术，此外车用雷达也预计将被产业界大幅采用。
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不过ibm并未透露该晶圆厂的产能规模以及营收，仅表示该公司自四年前开始生产soi制程rf晶片迄今，该类晶片已经累计出货达70亿颗──光是去年出货量就达30亿颗;那些晶片主要是供应手机与无线通讯基地台应用。
接受eetimes美国版编辑访问的ibm代表都不愿针对晶片部门出售传言发表意见，这些专家都是该公司类比制造部门的资深人才，只谈技术。ibm专门生产rf晶片的最新soi制程代号为 7sw，以制造rf交换器为主，还有一些功率放大器;无论是蜂巢式通讯或是wi-fi设备，为因应对多重频段的支援，对这类元件需求越来越高。
在ibm任职25年、五年前开始负责rf soi业务的rf前端技术开发经理mark jaffe表示：「较新一代的智慧型手机内含8~12颗rf交换器，rf前端的构造非常复杂，主要原因是我们现在有采用载波聚合(carrier aggregation)的 advanced lte 技术，支援很多载波路径以及频段。
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此外ibm也改善了电晶体的线性度，将三次谐波失真(the third harmonic distortion)降低了8db。事实上7sw制程幕后的核心团队大概只有10个人、工作了18个月;该团队约是从 2006年开始研发rf晶片专用的soi制程。而为了建立第二供应来源，ibm已将位于法国的一座旧晶圆厂独立为新公司altis。
在ibm任职14年、负责向无线领域客户行销晶圆代工业务的sara mellinger表示，过去包括skyworks等市场领导级rf晶片供应商，是采用砷化镓制程制造rf前端晶片，但现在该类晶片已经大幅转向采用sige或soi制程。
目前在soi制程rf晶片代工领域，tower jazz是ibm最大的竞争对手，此外cmos制程晶圆代工大厂globalfoundries 与台积电(tsmc)也准备切入soi制程抢相关商机。目前ibm的7sw制程已经在品质验证阶段，并为关键客户提供晶片样品，预计 2015年正式量产。
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「这将会是被大幅应用的技术;」自1980年代就投入开发sige技术(当时应用于生产ibm伺服器处理器晶片)的ibm院士david harame表示，目前大多数sige技术都是采用0.18或0.13微米制程节点，ibm是最近才领先宣布进入90奈米节点。
9hp制程是ibm的一个十人小组花了四年时间开发，目前已提供数家关键客户试用，预计8月能通过品质验证。如同soi制程，ibm也将提供9hp制程的开发套件，此外该公司也提供客制化的介电质附加模组(dielectric add-on modules)以及毫米波工具组。harame强调：「这并非是产业界常见的服务，你在其他先进cmos晶圆厂或12寸晶圆厂就找不到这些东西。」
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