飞思卡尔提供多款新型LDMOS和GaN功率晶体管

射频(rf)功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其airfast rf功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员:包括三个ldmos功率晶体管和一个氮化镓(gan)晶体管,所有产品均超越了严格的地面移动市场要求,具有超强耐用性。
全新airfast ldmos功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。 新型airfast gan器件主要面向多频带应用,减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求。 综上所述,这些解决方案为地面移动应用提供了高级设计选择组合。
飞思卡尔新型aft09ms007n、aft09mp055n和aft09ms015n ldmos功率放大器的设计意图是在极端恶劣的运行条件下完美运行,为地面移动无线射频应用提供卓越的性能、稳定性和增益。这些器件是公共安全、专业移动无线基站和其他恶劣的m2m通信环境使用的移动vhf、uhf和700-900 mhz收发器的理想选择。
即使同时让电压及驱动都超载来压迫放大器及rf功率晶体管,这三款新型airfast rf ldmos功率产品仍能够承受》65:1的vswr。他们整合了许多维持稳定性所需的电路,因此能够简化设计,并且在各种操作条件下都能维持稳定。飞思卡尔面向地面移动市场的最新ldmos airfast rf功率产品附带全面、广泛的参考设计,仅需少量电感器和电容器便可完成设计,与基于模块的解决方案相比,在类似的体积内提供了更高效率和线性。另外,airfast rf功率器件的效益通常可达65%或更高,显著高于模块化和竞争性的分立器件。
飞思卡尔高级副总裁兼rf业务部总经理ritu favre表示:“直到目前,工程师在开发需要大型、复杂且设计昂贵的多频带系统时仍然面临巨大的挑战。我们airfast rf功率组合的新产品可为地面移动设计师提供卓越的宽带性能,所有特性均封装于超紧凑的空间。”
对于无线运营商和公共安全人员,能够与多个机构通信的能力对于在发生紧急情况时采取快速、有序且高效的措施至关重要。飞思卡尔的新型airfast afg30s010 gan器件的宽带性能使单一功率放大器可以支持许多地面移动频带,避免了为多机构通信设计大型、昂贵、复杂的多频带系统的需求。afg30s010 gan器件具有高效、先进的热性能,提供的功能可以减小放大器占用的空间,对于在更小的产品空间中满足客户需求非常关键。
产品规格
在手持对讲机应用中,新型airfast ldmos器件在额定7.5 vdc电源下运行,在移动无线应用中,新型airfast ldmos器件在12.5 vdc电源下运行,同时集成esd保护。 airfast gan器件在28 vdc电源下运行。
aft09ms007n、aft09mp055n和aft09ms015n
● 可承受>65:1的vswr,具有同步过压和过载
● 优化系统可靠性,降低维护成本
● 高功率增益需要较少的阶段并提高稳定性
● 更高的效率,简化散热并实现更小的基站。
afg30s010
● 整个136-941 mhz频带功耗10 w
● 可承受> 20:1的vswr,具有同步过压和过载
● 优化系统可靠性,降低维护成本
● 避免使用复杂的保护电路,降低了总体系统成本
● 在宽泛频率范围内实现高效率
供货
aft09ms007n 7 w和aft09mp055n 55 w器件计划于2013年第2季度投产。aft09ms015n 15 w和afg03s010器件的样品计划于2013年第4季度供货。为设计工程师提供参考设计和其他支持工具。

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