STM32F1_ 片内FLASH编程
前言
今天总结“stm32f103片内flash编程”，对于学习编程的人来说“flash”这个词肯定很熟悉，因为flash主要用于存储数据。对于stm32来说，内部flash的容量有大有小，从16k到2m不等，主要看芯片的型号。
对于刚从51或者430转入学习arm-cortex m芯片的人来说，可能只知道内部flash是拿来装载程序的，事实上cortex m芯片内部flash的可以拿来编程的，而且还可以像外部flash一样存储数据。对，今天提供的工程就是使用内部flash像外部flash一样读写数据，而且不是块或者页编程（即不覆盖临近地址数据）。
在实际的开发中，内部flash存储数据也是很重要的一点，特别是一些不常修改，而且很重要的标志位，或者一些配置等，存储在内部flash是很常见的。但是，这个地址一定要避开程序储存的地址（我计划后期整理编程地址规范及要求）。
每天总结的不仅仅是基础，而是重点，不起眼的重点，容易被人忽视的重点。关注微信公众号“embedddeveloper”还有更多精彩等着你。
下载
今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。
今天的软件工程下载地址（360云盘）：
https://yunpan.cn/csfa6h6kwu5jb访问密码 bc34
stm32f10x的资料可以在我360云盘下载：
https://yunpan.cn/crbudugdykam2访问密码 ca90
内容讲解
工程概要说明： 提供工程的源代码主要就是两个接口，一个写，一个读。
void flash_writenword(uint16_t* pbuffer, uint32_t writeaddr, uint16_t nword);
void flash_readnword(uint16_t* pbuffer, uint32_t readaddr, uint16_t nword);
相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部flash一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。
主要在地址“addr”处写一个标志位，在地址“addr + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。
提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。
关于“stm32f103 片内flash编程”我把重要的几点在下面分别讲述：
一、写函数接口
该函数位于flash.c文件下面；
注意：
a.参数pbuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，如果有需要，请微信里回复我，我抽时间整理一下）。
b.参数长度也是16位的数量。
c.地址是内部flash地址，可别溢出了，也别和程序冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。
二、读函数接口
该函数位于flash.c文件下面；
注意的地方和上面写函数接口一样，主要是参数。
三、读写应用
该函数位于main.c文件下面；
蓝色表示读写标志位
红色表示读写数据
看一下就知道程序的流程是：“数据标志位”和“数据”都只写一次，而每次上电读一次标志位，再读数据。
这里的“数据标志位”地址就在“数据”前面。
四、今天的重点
重点a.页的大小：stm32f1小、中容量是1k，而大容量是2k,对于编程这里是有差异的。
重点b.stm32系列芯片中有很大一部分页的大小都是规则的，也就是说都是1k或许2k大小，学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如stm32f4中基本都不是规则的（如下图f4芯片），有的一块16k、128k等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部flash规则大小的芯片。
说明
今天提供的软件工程基于stm32f103大容量芯片，中等及小容量芯片也使用，只要修改flash.h文件一个宏（页大小就可以）。其实只要适当修改工程的部分配置,stm32f1的芯片都适用。
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对于刚从51或者430转入学习arm-cortex m芯片的人来说，可能只知道内部flash是拿来装载程序的，事实上cortex m芯片内部flash的可以拿来编程的，而且还可以像外部flash一样存储数据。对，今天提供的工程就是使用内部flash像外部flash一样读写数据，而且不是块或者页编程（即不覆盖临近地址数据）。
在实际的开发中，内部flash存储数据也是很重要的一点，特别是一些不常修改，而且很重要的标志位，或者一些配置等，存储在内部flash是很常见的。但是，这个地址一定要避开程序储存的地址（我计划后期整理编程地址规范及要求）。
每天总结的不仅仅是基础，而是重点，不起眼的重点，容易被人忽视的重点。关注微信公众号“embedddeveloper”还有更多精彩等着你。
下载
今天提供下载的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘。
今天的软件工程下载地址（360云盘）：
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void flash_writenword(uint16_t* pbuffer, uint32_t writeaddr, uint16_t nword);
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相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部flash一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。
主要在地址“addr”处写一个标志位，在地址“addr + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。
提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。
关于“stm32f103 片内flash编程”我把重要的几点在下面分别讲述：
一、写函数接口
该函数位于flash.c文件下面；
注意：
a.参数pbuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，如果有需要，请微信里回复我，我抽时间整理一下）。
b.参数长度也是16位的数量。
c.地址是内部flash地址，可别溢出了，也别和程序冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。
二、读函数接口
该函数位于flash.c文件下面；
注意的地方和上面写函数接口一样，主要是参数。
三、读写应用
该函数位于main.c文件下面；
蓝色表示读写标志位
红色表示读写数据
看一下就知道程序的流程是：“数据标志位”和“数据”都只写一次，而每次上电读一次标志位，再读数据。
这里的“数据标志位”地址就在“数据”前面。
四、今天的重点
重点a.页的大小：stm32f1小、中容量是1k，而大容量是2k,对于编程这里是有差异的。
重点b.stm32系列芯片中有很大一部分页的大小都是规则的，也就是说都是1k或许2k大小，学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如stm32f4中基本都不是规则的（如下图f4芯片），有的一块16k、128k等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部flash规则大小的芯片。
说明
今天提供的软件工程基于stm32f103大容量芯片，中等及小容量芯片也使用，只要修改flash.h文件一个宏（页大小就可以）。其实只要适当修改工程的部分配置,stm32f1的芯片都适用。
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