先简单解释一下mos的工作原理图。
它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型mos
mos管,其内部结构见mos管工作原理图。它可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型,pnp型也叫p沟道型。由图可看出,对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上,同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
mos管的工作过程主要分为三个步骤:
1.导通:当控制电压达到一定的阈值时,mos管的源极和漏极之间的晶体管就会导通,从而使电路通过;
2.放大:当控制电压达到一定的阈值时,mos管就会放大输入信号,从而使输出信号更强;
3.抑制:当控制电压达到一定的阈值时,mos管就会抑制输入信号,从而使输出信号更弱。
mos管和三级管的区别
mos管和三级管的主要区别在于控制电压的不同,mos管的控制电压是静态的,而三级管的控制电压是动态的。mos管的优点是低功耗、低噪声、高灵敏度、高频率响应能力,缺点是控制电压较低,控制电流较小。三级管的优点是控制电压较高,控制电流较大,缺点是功耗较高、噪声较大、灵敏度较低、频率响应能力较低。
mos管的控制电压可以通过外部电路来调节,而三级管的控制电压只能通过内部电路来调节。此外,mos管的控制电压可以通过外部电路来改变,而三级管的控制电压只能通过内部电路来改变。
mos管的引脚连接顺序
g:gate栅极;s:source 源极;d:drain 漏极。n沟道的电源一般接在d,输出s,p沟道的电源一般接在s,输出d。增强耗尽接法基本一样。 这是mos管热释电红外传感器,那个矩形框是感应窗口,g脚为接地端,d脚为内部mos管漏极,s脚为内部mos管源极。在电路中,g接地,d接电源正,红外信号从窗口输入,电信号从s输出。
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