ACPL-P349/W349评估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET栅极驱动器配置分析
本手册概述了 acpl-p349/w349 评估板的特性以及评估隔离式 igbt 或 sic/gan mosfet 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板处于良好状态。
q1 和 q2 未安装。igbt 或 sic/gan mosfet 可以安装在 q1（对于 to-220 封装）或 q2（对于 to-247 封装）或通过短线连接从 q1 或 q2 提供的孔连接到驱动器板
d4 和 r7 未安装（在焊接侧）。提供 d4 处的 15v 齐纳封装，以允许在需要时跨 vcc2 和 vee 施加 15v~30v 的单个直流电源。然后可以生成虚拟接地 ve（在 q1 或 q2 的源极引脚），它充当每个 sic/gan mosfet 源极引脚（或每个 igbt 的发射极引脚）的参考点。然后 vcc2 将保持在比虚拟地 ve 高 15v 的位置。需要 r7 来生成 d4 上的偏置电流
s2 和 s3 跳线默认短路以将 ve 连接到 vee，假设不需要负电源。注意：如果需要负电源，则需要移除 s2 和 s3 跳线
自举二极管 d3b 和电阻器 r6 默认连接。假设 vcc2a 电源可用，提供这 2 个组件以帮助通过自举生成 vcc2b 电源。注意：自举电源仅在 q1 或 q2 安装在半桥配置中并通过适当的 pwm 驱动信号打开和关闭时才起作用
当 vcc1 供电时，s1 默认短路以将 in-（或 led-，led 的阴极）引脚接地。如果 in- 不能接地，可以消除此短路
逆变器的上下臂将具有公共vcc1（&gnd1），允许vcc1通过焊料连接在逆变器pcb的上下部分（和焊料侧的gnd1）之间；
还规定允许通过 ic2 上的 dc/dc 转换器从 vcc1 生成 vcc2（和 vee）。使用此 dc/dc 转换器时，应断开 s2、s3 （& r6）
acpl-p349/w349 评估板显示默认连接
执行检查后，评估板可用于在仿真模式下测试顶部和底部半桥逆变器臂之一，而无需 igbt 或 sic/gan mosfet。要执行测试，只需遵循下面概述的五个步骤（参见图 2）。
测试半桥逆变器驱动器的双臂（无 igbt 或 sic/gan mosfet）
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s2 和 s3 跳线默认短路以将 ve 连接到 vee，假设不需要负电源。注意：如果需要负电源，则需要移除 s2 和 s3 跳线
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还规定允许通过 ic2 上的 dc/dc 转换器从 vcc1 生成 vcc2（和 vee）。使用此 dc/dc 转换器时，应断开 s2、s3 （& r6）
acpl-p349/w349 评估板显示默认连接
执行检查后，评估板可用于在仿真模式下测试顶部和底部半桥逆变器臂之一，而无需 igbt 或 sic/gan mosfet。要执行测试，只需遵循下面概述的五个步骤（参见图 2）。
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