关于嵌入式闪存技术的几点误区
多数汽车]
差异化的多晶硅浮栅嵌入式闪存
多年来，大多数]
]这里来插播一下闪存最最基本的位单元存储结构和工作原理，请看下面三图。
嵌入式闪存的低工作电压特性使其非常适用于]
嵌入式闪存支持]
这经常让人们误认为嵌入式闪存不能满足]
]嵌入式闪存是可以扩展的十年以前，纷纷流传嵌入式闪存无法突破 90nm 以下节点，理由是存储单元扩展面临诸多困难和挑战。可如今嵌入式闪存已发展到 28nm 级，因此证明上述看法是错误的。现在面临的挑战是将嵌入式闪存迈入 finfet 工艺时代。不过，诸如 samsung 和 globalfoundries 等代工厂正专注于平面 22 nm 技术节点（甚至更小）的 fdsoi 技术，可能会使嵌入式闪存的使用寿命比 28nm 节点更长。
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图]
所有无晶圆厂的 idm 和许多只有小规模晶圆厂的 idm 都在与纯代工厂进行合作。不过，idm 都有自己的制造设备，可以根据产品集和可用技术，选择自己生产或外包给纯代工厂。许多一流 idm 选择了在其自己的代工厂部署 sst 的嵌入式闪存技术，目的是为了能够定制一系列技术节点的差异化产品。
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