AgNP/MoS2纳米口袋自动捕获目标物分子的表面增强拉曼光谱方法
近日，中国科学院合肥物质科学研究院健康与医学技术研究所研究员杨良保课题组，开发了agnp/mos2纳米“口袋”自动捕获目标物分子的表面增强拉曼光谱方法，可实现部分化学反应过程的高灵敏长时间动态检测。相关成果发表在《分析化学》（analytical chemistry）上，并被选为当期正封面（图1）。
表面增强拉曼光谱（sers）是一种分子光谱，具有快速、高灵敏和指纹识别的特性。杨良保团队致力于sers方面的研究。在既往研究的基础上，该团队在大面积单层纳米粒子膜上覆盖了二维材料mos2（图2），制备成agnp/mos2纳米“口袋”，将其覆盖在待测目标物分子之上，采用多物理场模型的有限元模拟方法，分析了agnp/mos2纳米“口袋”结构在溶液和空气中的电场增强分布和溶液蒸发的动态过程。
研究表明，该纳米“口袋”具有高密度的热点，并具有主动捕获分子的能力，与单层agnp膜相比，覆盖mos2后减缓了溶液的蒸发，延长了sers检测的窗口期，同时进一步增强了电场。该结构可实现长达8分钟的高灵敏度、高稳定性的sers动态检测。此外，该结构可用于检测抗肿瘤药物和监测血清中次黄嘌呤的结构变化。相关方法有望更多地应用于生物系统中物质转化或其他化学反应动力学的现场检测。
图2 （上） 通过在液液界面组装大面积单层纳米粒子膜（下）在大面积单层纳米粒子膜覆盖二维材料mos2，形成的agnp/mos2纳米“口袋”。
工程监测仪器振弦传感器信号转换器应用于隧洞监测
rs232接口特性和接口芯片
回顾云知声于2018世界人工智能大会展区
Win11悄悄降低安卓子系统门槛
5G应用会常见于哪些领域,距离5G全面普及还要多久
AgNP/MoS2纳米口袋自动捕获目标物分子的表面增强拉曼光谱方法
用万用表测量三极管的方法
手机如何无线投屏电脑？手机投屏软件有哪些？
广泛听取用户意见！魅族19主理人计划持续，有什么想法尽管提
智能网联时代，车企在“数据”战场如何取胜
Posiflex推出业界首款翻盖式POS终端Haydn ZT系列
一种高性能指纹锁硬件电路设计
超小型纯电动汽车或成为纯电动汽车普及的催化剂
华为魅族无人能及！小米6性能颜值逆天：六曲面+骁龙835+MIUI9！
联发科与Qualcomm竞争差距明显缩短
郑南宁：人工智能是人类历史上最重要的一个演变
vivoX9恕我直言，你值得拥有！美图M6开箱上手体验：高颜值+高配置
美高森美提供全新智能电感式传感器接口IC系列中的首款器件
ADI公司收购Test Motors，工业领域的又一举措
用NE555制作的高压静电发生器电路图
表面增强拉曼光谱（sers）是一种分子光谱，具有快速、高灵敏和指纹识别的特性。杨良保团队致力于sers方面的研究。在既往研究的基础上，该团队在大面积单层纳米粒子膜上覆盖了二维材料mos2（图2），制备成agnp/mos2纳米“口袋”，将其覆盖在待测目标物分子之上，采用多物理场模型的有限元模拟方法，分析了agnp/mos2纳米“口袋”结构在溶液和空气中的电场增强分布和溶液蒸发的动态过程。
研究表明，该纳米“口袋”具有高密度的热点，并具有主动捕获分子的能力，与单层agnp膜相比，覆盖mos2后减缓了溶液的蒸发，延长了sers检测的窗口期，同时进一步增强了电场。该结构可实现长达8分钟的高灵敏度、高稳定性的sers动态检测。此外，该结构可用于检测抗肿瘤药物和监测血清中次黄嘌呤的结构变化。相关方法有望更多地应用于生物系统中物质转化或其他化学反应动力学的现场检测。
图2 （上） 通过在液液界面组装大面积单层纳米粒子膜（下）在大面积单层纳米粒子膜覆盖二维材料mos2，形成的agnp/mos2纳米“口袋”。
工程监测仪器振弦传感器信号转换器应用于隧洞监测
rs232接口特性和接口芯片
回顾云知声于2018世界人工智能大会展区
Win11悄悄降低安卓子系统门槛
5G应用会常见于哪些领域,距离5G全面普及还要多久
AgNP/MoS2纳米口袋自动捕获目标物分子的表面增强拉曼光谱方法
用万用表测量三极管的方法
手机如何无线投屏电脑？手机投屏软件有哪些？
广泛听取用户意见！魅族19主理人计划持续，有什么想法尽管提
智能网联时代，车企在“数据”战场如何取胜
Posiflex推出业界首款翻盖式POS终端Haydn ZT系列
一种高性能指纹锁硬件电路设计
超小型纯电动汽车或成为纯电动汽车普及的催化剂
华为魅族无人能及！小米6性能颜值逆天：六曲面+骁龙835+MIUI9！
联发科与Qualcomm竞争差距明显缩短
郑南宁：人工智能是人类历史上最重要的一个演变
vivoX9恕我直言，你值得拥有！美图M6开箱上手体验：高颜值+高配置
美高森美提供全新智能电感式传感器接口IC系列中的首款器件
ADI公司收购Test Motors，工业领域的又一举措
用NE555制作的高压静电发生器电路图