mos管是什么，它的作用以及特性的介绍
mos场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，外形如图4-2，所示。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。场效应管的品种很多，主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类，又都有n沟道和p沟道之分。
绝缘栅场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为mos场效应管，分为耗尽型mos管和增强型mos管。场效应管还有单栅极管和双栅极管之分。双栅场效应管具有两个相互独立的栅极g1和g2，从构造上看相当于由两个单栅场效应管串联而成，其输出电流的变化遭到两个栅极电压的控制。双栅场效应管的这种特性，在作为高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器运用时会带来很大方便。
1，mos管种类和结构
mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），可以被制构成增强型或耗尽型，p沟道或n沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的n沟道mos管和增强型的p沟道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是这两种。至于为什么不运用耗尽型的mos管，不建议寻根究底。关于这两种增强型mos管，比较常用的是nmos。缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用nmos。下面的引见中，也多以nmos为主。 mos管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要省事一些，但没有办法避免，后边再细致引见。在mos管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的mos管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，mos管导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4v或10v就可以了。pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接vcc时的情况（高端驱动）。但是，固然pmos可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用nmos。
3，mos开关管
损失不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。往常的小功率mos管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。mos在导通和截止的时分，一定不是在瞬间完成的。mos两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，构成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管
4，mos管驱动
跟双极性晶体管相比，普通以为使mos管导通不需求电流，只需gs电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。在mos管的结构中可以看到，在gs，gd之间存在寄生电容，而mos管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计mos管驱动时第一要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于高端驱动的nmos，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的mos管导通时源极电压与漏极电压（vcc）相同，所以这时栅极电压要比vcc大4v或10v。假设在同一个系统里，要得到比vcc大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动mos管。上边说的4v或10v是常用的mos管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的mos管用在不同的范畴里，但在12v汽车电子系统里，普通4v导通就够用了。
mos管主要参数如下：
1. 栅源击穿电压bvgs-在增加栅源电压过程中，使栅极电流ig由零开端剧增时的vgs，称为栅源击穿电压bvgs。
2.开启电压vt-开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的n沟道mos管，vt约为3～6v；-经过工艺上的改良，能够使mos管的vt值降到2～3v。
3. 漏源击穿电压bvds-在vgs=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开端剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds-id剧增的缘由有下列两个方面：
（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿-有些mos管中，其沟道长度较短，不时增加vds会使漏区的耗尽层不时扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的id。
4. 直流输入电阻rgs-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-mos管的rgs能够很容易地超越1010ω。
5. 低频跨导gm-在vds为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征mos管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几ma/v的范围内。
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3，mos开关管
损失不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。往常的小功率mos管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。mos在导通和截止的时分，一定不是在瞬间完成的。mos两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，构成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管
4，mos管驱动
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