Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(gan)功率半导体供应商 transphorm, inc.(纳斯达克:tgan)今日宣布推出两款采用 4 引脚 to-247 封装(to-247-4l)的新型 supergan® 器件。新发布的 tp65h035g4ys 和 tp65h050g4ys fet 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程,该制造工艺不仅可靠性高,而且具有良好的成本效益,非常适合现有硅基生产线量产。目前,50 毫欧 tp65h050g4ys fet 已可供货,35 毫欧 tp65h035g4ys fet 正在出样,预计将于 2024 年一季度供货上市。
一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中,transphorm 的 4 引脚 supergan器件可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 sic器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能,从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的 sic mosfet相比,35 毫欧 supergan 4 引脚 fet 器件在 50 千赫兹(khz)下,损耗减少了 15%,而在 100 khz 下的损耗则降低了 27%。
transphorm 的 supergan fet 器件所具有的独特优势包括:
业界领先的稳健性:+/- 20v 栅极阈值和 4 v 抗扰性。
更优的可设计性:减少器件周边所需电路。
更易于驱动:supergan fet 能使用硅器件所常用的市售驱动器。
新发布的to-247-4l 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性,其核心技术规格如下:
器件型号 vds (v) 最小值 rds(on)(mω) 型 vth (v) 型 id (25°c) (a) 最大值 封装  
tp65h035g4ys 650 35 3.6 46.5  
配有源极端子  
tp65h050g4ys 650 50 4 35 配有源极端子
transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 philip zuk 表示:“transphorm 将继续拓展产品线,向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管(gan fet)。无论客户有什么样的设计需求,transphorm都能够帮助客户充分利用supergan平台的性能优势。四引脚 to-247 封装的supergan为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性——只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改(或者根本不需要进行任何设计修改),就能实现更低的电源系统损耗。transphorm正在加速进入更高功率的应用领域,新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”
供货情况
如需索取 35 毫欧和 50 毫欧 to-247-4l fet 器件样品,请联系 transphorm 销售团队:wwsales@transphormusa.com。点击以下链接,查阅每款器件的产品资料:
tp65h035g4ys 产品数据表:https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
tp65h050g4ys 产品数据表:https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/

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