C51单片机的IO口介绍(下)
上一篇文章我们对c51的io简单的介绍了一下，现在我们来简单了解c51的io的结构
这里我们学习一下比较常见的单片机的io模式，分别是准双向，开漏输出和推挽输出
（这里要提一嘴，我们用的stc88c52rc是没有推挽输出功能的，stc公司后续推出的一些机型才有推挽输出功能）
接下来我们来看看这几种模式
1.准双向
看看下面的原理图，机内信号通过一个非门取反后送入一个mos管，mos管负责控制这个io的高低电平，配合内部上拉电阻完成高低电平的输出
为了方便我们分析，我们把这个mos管看成一只npn三极管。区别是三极管靠电流导通，mos管靠电压导通
结合前面我们讲过的知识，对于一只npn三极管，基极b电压比集电极c电压大0.7v的时候，三极管发射极e与集电极c之间导通
准双向输出高电平
当机内给高电平信号的时候，经过非门取反，得到低电平信号，在这里我视作0v，非门取反后直接接到三极管b极，相当于b极电压0v，三极管的c极接地，视作0v。此时由于b极电压与c极电压差小于0.7v，三极管截止
电源正极的电流就经过内部上拉电阻流向c极，只有一路电流从正极到上拉电阻再流出io，这时候相当于io接入高电平
准双向输出低电平
当机内给低电平信号的时候，经过非门取反，得到高电平信号，在这里我视作5v，非门取反后直接接到三极管b极，相当于b极电压5v，三极管的c极接地，视作0v。此时由于b极电压与c极电压差达到0.7v以上，三极管导通
电源正极的电流就经过内部上拉电阻流向c极，c，e之间导通，所以直通，一直流至负极。另一路电流从外部io经过三极管的c极，再流向e极，最后流至地，实现接低
这时候我想你会问，那电流为什么不从vcc流向电阻，最后流出io呢？我想说，我相信你高中的时候学过，电流总是从正极流向负极。我们来观察，在这个电路里面，正极的电流已经流向负极了，io这一路电流也流向负极，也就实现了低电平输出
2.开漏输出
开漏输出的结构如下
细心的朋友已经发现了，开漏输出的电路结构跟准双向的区别就是没有内部上拉电阻
内部输出0的时候，原理跟准双向输出相同
但是如果内部输出为1的时候
这时候io是悬空状态，相当于io跟单片机断开了
如果需要输出高电平，这时候就需要外部上拉电阻
3.推挽输出（了解）
所谓的推挽，就是指使用两个三极管或者mos管交替地将信号推到正和负极性，实现放大的效果
推挽输出的电路结构
在这个结构中，两个mos管配合，实现推挽输出，最大的特点就是输出电流够大（大约20ma）
在这里，t1 mos管可以看成pnp三极管，t2 mos管可看成npn三极管
输出高电平的原理：
内部输出高电平信号经过非门取反，送到两个三极管的b极，上面的pnp三极管导通，下面的npn三极管截止，电流从vcc流过pnp管，流出io。
输出低电平的原理：
内部输出低电平信号经过非门取反，送到两个三极管的b极，上面的pnp三极管截止，下面的npn三极管导通，io电流经过npn三极管流过地，实现输出低电平
c51的io模式
我们的at89c52单片机只支持开漏输出和准双向输出
p0组io只支持开漏输出，仔细观察，你的开发板上的p0组io是不是有一排上拉电阻？
p1，p2，p3支持准双向io输出
这些是单片机设计的时候就配置好的
我们无法修改，但是根据不同io组的输出功能进行合理利用，依旧能达到我们想要的效果
小米新款高性能笔记本曝光：处理器型号包括11代酷睿、AMD Zen3
混合维异质结的“光电视觉适应”
window 10系统设置将增加磁盘管理功能
用于执行数据安全策略的DLP系统
金立带来国内首款搭载无线充电技术的全面屏手机
C51单片机的IO口介绍(下)
PCB线路形状与尺寸词汇中英文对照的资料合集
苹果有望在2019年第三季度发布5G手机 价格也将更高
内存价格持续走低，金士顿依然占据绝对市场统治地位
ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航
ISDP 发布伙伴体验中心，与合作伙伴共创数智化未来
OPPO基于感知技术，带来了一只机械狗
AD9268: 16位、125 MSPS/105 MSPS
资讯：T-Mobile将支付2亿美元罚款以解决FCC对Sprint的补贴调查
多源激励下光纤光栅的响应特性研究
苹果宣布推出用于COVID-19筛查的特殊应用程序和网站 并可通过Siri语音助手提供帮助
中国已在量子通信领域逐渐领跑全球
Arm强调继续支持中国市场 共建全球性、开放式的创新体系
Intel 10nm处理器流片 第二代10nm产品起码等到2019年
七部委发来贺报！人民币比特币从90%猛降到1%，监管层下一步是？
这里我们学习一下比较常见的单片机的io模式，分别是准双向，开漏输出和推挽输出
（这里要提一嘴，我们用的stc88c52rc是没有推挽输出功能的，stc公司后续推出的一些机型才有推挽输出功能）
接下来我们来看看这几种模式
1.准双向
看看下面的原理图，机内信号通过一个非门取反后送入一个mos管，mos管负责控制这个io的高低电平，配合内部上拉电阻完成高低电平的输出
为了方便我们分析，我们把这个mos管看成一只npn三极管。区别是三极管靠电流导通，mos管靠电压导通
结合前面我们讲过的知识，对于一只npn三极管，基极b电压比集电极c电压大0.7v的时候，三极管发射极e与集电极c之间导通
准双向输出高电平
当机内给高电平信号的时候，经过非门取反，得到低电平信号，在这里我视作0v，非门取反后直接接到三极管b极，相当于b极电压0v，三极管的c极接地，视作0v。此时由于b极电压与c极电压差小于0.7v，三极管截止
电源正极的电流就经过内部上拉电阻流向c极，只有一路电流从正极到上拉电阻再流出io，这时候相当于io接入高电平
准双向输出低电平
当机内给低电平信号的时候，经过非门取反，得到高电平信号，在这里我视作5v，非门取反后直接接到三极管b极，相当于b极电压5v，三极管的c极接地，视作0v。此时由于b极电压与c极电压差达到0.7v以上，三极管导通
电源正极的电流就经过内部上拉电阻流向c极，c，e之间导通，所以直通，一直流至负极。另一路电流从外部io经过三极管的c极，再流向e极，最后流至地，实现接低
这时候我想你会问，那电流为什么不从vcc流向电阻，最后流出io呢？我想说，我相信你高中的时候学过，电流总是从正极流向负极。我们来观察，在这个电路里面，正极的电流已经流向负极了，io这一路电流也流向负极，也就实现了低电平输出
2.开漏输出
开漏输出的结构如下
细心的朋友已经发现了，开漏输出的电路结构跟准双向的区别就是没有内部上拉电阻
内部输出0的时候，原理跟准双向输出相同
但是如果内部输出为1的时候
这时候io是悬空状态，相当于io跟单片机断开了
如果需要输出高电平，这时候就需要外部上拉电阻
3.推挽输出（了解）
所谓的推挽，就是指使用两个三极管或者mos管交替地将信号推到正和负极性，实现放大的效果
推挽输出的电路结构
在这个结构中，两个mos管配合，实现推挽输出，最大的特点就是输出电流够大（大约20ma）
在这里，t1 mos管可以看成pnp三极管，t2 mos管可看成npn三极管
输出高电平的原理：
内部输出高电平信号经过非门取反，送到两个三极管的b极，上面的pnp三极管导通，下面的npn三极管截止，电流从vcc流过pnp管，流出io。
输出低电平的原理：
内部输出低电平信号经过非门取反，送到两个三极管的b极，上面的pnp三极管截止，下面的npn三极管导通，io电流经过npn三极管流过地，实现输出低电平
c51的io模式
我们的at89c52单片机只支持开漏输出和准双向输出
p0组io只支持开漏输出，仔细观察，你的开发板上的p0组io是不是有一排上拉电阻？
p1，p2，p3支持准双向io输出
这些是单片机设计的时候就配置好的
我们无法修改，但是根据不同io组的输出功能进行合理利用，依旧能达到我们想要的效果
小米新款高性能笔记本曝光：处理器型号包括11代酷睿、AMD Zen3
混合维异质结的“光电视觉适应”
window 10系统设置将增加磁盘管理功能
用于执行数据安全策略的DLP系统
金立带来国内首款搭载无线充电技术的全面屏手机
C51单片机的IO口介绍(下)
PCB线路形状与尺寸词汇中英文对照的资料合集
苹果有望在2019年第三季度发布5G手机 价格也将更高
内存价格持续走低，金士顿依然占据绝对市场统治地位
ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航
ISDP 发布伙伴体验中心，与合作伙伴共创数智化未来
OPPO基于感知技术，带来了一只机械狗
AD9268: 16位、125 MSPS/105 MSPS
资讯：T-Mobile将支付2亿美元罚款以解决FCC对Sprint的补贴调查
多源激励下光纤光栅的响应特性研究
苹果宣布推出用于COVID-19筛查的特殊应用程序和网站 并可通过Siri语音助手提供帮助
中国已在量子通信领域逐渐领跑全球
Arm强调继续支持中国市场 共建全球性、开放式的创新体系
Intel 10nm处理器流片 第二代10nm产品起码等到2019年
七部委发来贺报！人民币比特币从90%猛降到1%，监管层下一步是？