sk海力士近日公布了第一颗ddr5-6400内存芯片,频率高达6400mhz,是现在多数ddr4内存的两倍左右,而单颗容量为16gb(2gb)。
sk海力士的这种ddr5-6400内存采用1ynm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺(dram工艺现在极少明确到个位数),四个金属层,面积为76.22平方毫米。
这是什么概念呢?
sk海力士此前的第一代21nm工艺8gb(1gb) ddr4内存芯片面积是76平方毫米,等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量,存储密度翻了一番。
不过,76.22平方毫米仍然是相当大的面积,成本肯定很高,后续仍依赖于工艺的进步,比如第二代21nm工艺的8gb ddr4就缩小到了53.6平方毫米,足足30%。
当然了,翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本,更何况还可以做出更小的4gb芯片。
另外,新内存的工作电压仅为1.1v,相比于ddr4标准的1.2v又降低了大约8%,而很多高频ddr4内存都要加到1.35v甚至是很危险的1.5v。
为了达成6400mhz高频率、1.1v低电压,sk海力士在电路设计上费了不少心思,比如为了减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真,加装了新的延迟锁定环dll,使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator)。
另外还有新的前向反馈均衡(ffe)电路,以及新的写入均衡训练算法。
目前,三星电子、sk海力士、美光等巨头都在冲刺ddr5,但是行业规范迟迟没能定下来,原计划2018年底出炉现已严重超时,而且jedec组织一直没有给出新的时间表。
而在另一方面,针对智能手机等低功耗便携式设备的lpddr5都已经搞定了。
2023 DPU厂商大盘点(先锋版)
元件怎样来布局
乔纳森-艾维离职,成立自己的独立设计公司名为 “LoveFrom Jony”
二极管的伏安特性 二极管整流电路详解
N沟道型和P沟道型MOSFET的导通条件
SK海力士公布了第一颗DDR5-6400内存芯片
2019年币圈发生了哪一些事
什么是用户侧储能系统,关于它的详细介绍
Maxim全新2款LED驱动器 为汽车照明提供更高亮度LED驱动方案
单片微波集成电路同相正交混频器——HMC520A
NS-BFK变压器风冷控制的特点都有哪些
3D电视会影响视力?厂商或将投入相关研究
小米Play评测 可以说是小米在千元机上的一种新尝试
特朗普要求投入更多资金和资源 培训民众适应人工智能时代
无源器件的大功率实时测量方案
示波器高压探头的操作说明及使用注意事项
PCBA电路板热设计的重要性及散热技巧
2013十大微处理器供应商销售排行榜,Intel高居榜首
华为要造汽车,靠谱吗?
摆脱传统思维,“超级钱台”助力传统商业发展