q3临近,各家公司的财报也是悲喜两重天,而全球最大的光刻机公司荷兰asml公司保持开挂态势,当季营收27.8亿欧元,净利润6.8亿欧元,同比增长13.4%,出货了5台euv光刻机。据悉,asml预计全年出货18台,明年将增长到30台,为何光刻机的生意如此“红火”?
工艺升级带来利好
从大势来看,这是工艺升级需求所致。
台积电前不久试产了7nm euv工艺,采用asml的新式光刻机twinscan nxe,完成了客户芯片的流片工作,同时宣布5nm工艺将在2019年4月开始试产,量产则有望在2020年第二季度。
在7nm euv工艺上成功完成流片,证明了新工艺新技术的可靠和成熟,为后续量产打下了坚实基础。相比台积电第一代7nm深紫外光刻(duv)技术,台积电宣称可将晶体管密度提升20%,同等频率下功耗可降低6-12%。
而7nm之后,台积电下一站将是5nm(cln5ff/n5),将在多达14个层上应用euv,号称其可比初代7nm工艺的晶体管密度提升80%,芯片面积缩小45%,频率提升15%,功耗降低20%。
而三星也宣布开始进行7nm lpp(low power plus)工艺芯片的量产工作。三星的7nm lpp采用asml的euv光刻机,型号为双工件台nxe:3400b(光源功率280w),日产能1500片。
在技术指标上,对比10nm finfet,三星7nm lpp可实现面积能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知,高通新一代的5g基带会采用三星的7nm lpp工艺。
这些代工巨头们在先进制程持续竞赛,意味着euv工艺就要正式产业化,这为打拼20多年的asml带来了全新的曙光,迎来了开挂态势。
产能进一步提升
值得一提的是,asml明年下半年会推出新一代的nxe:3400c型光刻机,wph(每小时处理的晶圆数量)产能从现在的每小时125片晶圆提升到155片晶圆以上,意味着产能提升24%。
现在的nxe:3400b型euv光刻机的产能为125 wph,而nxe:3400c的产能预计再提升24%,这对改善euv工艺的产能很有帮助。
不过有专家分析,euv光刻工艺今年正式量产只是一个开始,因为沉浸式光刻机的产能可达250 wph,可以250w的光源长时间稳定运行,因此,euv光刻155 wph的产能虽然可喜可贺,但还需要持续精进。
asml公司ceo peter wennink也曾指出,“asml也将着力加速提升euv系统的妥善率和生产力,以实现2019年至少出货30台euv系统的计划。”
开发成本蹿升
而在asml公司q3的光刻机销售中,韩国公司占比33%,我国***公司占比30%,大陆公司占比18%,前一个季度中大陆公司占比是19%,不过q3季度中***公司占比从18%增长到了30%,韩国公司占比从35%降至33%。
在单机过亿欧元的euv光刻机方面,q3季度asml出货了5台euv光刻机,上个季度出货7台euv光刻机,预计q4季度出货6台euv光刻机,全年出货的数量将达到18台,而2019年euv光刻机预计出货数量达到30台。
而这也表明,随着半导体工艺的急剧复杂化,不仅开发量产新工艺的成本大幅增加,开发相应芯片也越来越花费巨大,目前估计平均得花费1.5亿美元,5nm时代可能要2-2.5亿美元。中国大陆无论是代工厂商还是芯片厂商,都需要为这股“前进”势力付出更多的投入。
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