晶体管教程要点及区别
我们可以总结一下这个晶体管教程部分的主要内容如下：
研究了npn和pnp双极结晶体管（bjt）以及场效应晶体管的结构和操作（fet），结和绝缘栅，我们可以总结这些晶体管教程的要点，如下所述：
双极结型晶体管（bjt）是一种三层器件，由两个连接在一起的半导体二极管结构成，一个正向偏置，一个反向
有两种主要类型的双极结型晶体管，（bjt） npn 和 pnp 晶体管。
双极结晶体管是“电流操作设备”，其中 base 电流小得多，导致发射器更大到收集器电流，它们本身几乎相等，流动。
晶体管符号中的箭头表示传统的电流。
最常见的晶体管连接是公共发射极（ce）配置，但公共基极（cb）和公共集电极（cc）也可用。
需要偏置电压用于交流放大器操作。
基极 - 发射极结是alwa ys正向偏置，而集电极 - 基极结总是反向偏置。
晶体管中流动电流的标准公式如下： i e = i b + i c
收集器或输出特性曲线可用于查找 ib ， ic 或β，可以构造负载线以确定合适的工作点， q 基极电流的变化决定了工作范围。
晶体管也可用作其饱和区和截止区之间的电子开关，以控制诸如灯具，电机和螺线管等。
直流电机，继电器和螺线管等感应负载需要在负载两端放置一个反向偏置的“飞轮”二极管。这有助于防止负载切换到“off”时产生的任何感应反电动势，从而损坏晶体管。
npn晶体管要求 base 更正比 emitter 而pnp类型要求 emitter 比 base 更积极。
场效应晶体管教程
场效应晶体管，或fet是“电压操作设备“并且可以分为两种主要类型： junction-gate 设备，称为 jfet的和绝缘门设备，称为 igfet 或更常见的 mosfet 。
绝缘栅器件也可以细分进入增强类型和耗尽类型。所有形式均提供n沟道和p沟道版本。
fet具有非常高的输入电阻，因此很少或没有电流（mosfet类型）流入输入端子理想的用作电子开关。
由于绝缘氧化层，mosfet的输入阻抗甚至高于jfet的输入阻抗，因此静电很容易损坏mosfet器件处理它们时需要采取这些措施。
当增强型fet的栅极没有施加电压时，晶体管处于“关闭”状态，类似于“开关”。 / li>
当没有电压施加到栅极时，耗尽型fet具有固有导电性并处于“导通”状态，类似于“闭合开关”。
与双极结晶体管相比，fet具有更高的电流增益。
最常见的fet连接是公共源（cs）配置但是还提供公共栅极（cg）和公共漏极（cd）配置。
mosfets可用作理想开关，因为它们具有非常高的通道“off”电阻，低“on”
要将n沟道jfet晶体管“关断”，必须向栅极施加负电压。
转向在p沟道jfet晶体管“off”时，必须向栅极施加正电压。
当施加负电压时，n沟道耗尽mosfet处于“off”状态
p沟道耗尽mosfet，当向栅极施加正电压以产生耗尽区时，它们处于“off”状态。 / li>
当向栅极施加“+ ve”（正）电压时，n沟道增强型mosfet处于“on”状态。
当“-ve”（负）电压时，p沟道增强mosfet处于“on”状态应用于门。
场效应晶体管图
结型场效应晶体管（jfet）和金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）配置的栅极偏置如下：
fet和双极晶体管之间的区别
场效应晶体管可用于取代电子电路中的普通双极结型晶体管，并简单比较fet和晶体管，说明它们的优点和它们的缺点如下：
下面是一系列互补双极晶体管，可用于低电流继电器的通用开关，驱动led和灯，以及放大器和振荡器应用。
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当施加负电压时，n沟道耗尽mosfet处于“off”状态
p沟道耗尽mosfet，当向栅极施加正电压以产生耗尽区时，它们处于“off”状态。 / li>
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