超快恢复二极管与普通二极管
01
二极管的工作原理
how a diode works
利用二极管pn结的单向导电特性，电路中电流只能从正极流入，负极流出的特点，可将交变的交流电流，变成脉动的直流电流。
02
二极管恢复时间
diode recovery time
随二极管正向电压由正到负的变化，二极管工作状态将由导通向截止进行转变，但由于二极管存在极间电荷的原因，通过二极管的电流不会立即归零，还有反向电流通过二极管，这个通过反向电流的时间到反向电流完全关断的时间，称为二极管的反向恢复时间，根据二极管结构不同，几十纳秒到几毫秒不等，在二极管参数中用trr表示。
03
超快恢复二极管与普通二极管的区别
ultrafast recovery diode and ordinary diode difference
普通二极管的pn结多采用面接触型，即p型半导体和n型半导体间的接触面积大，具有耐压高、平均电流大、恢复时间长（几百纳秒到几毫秒）等显著特点。快恢复或超快恢复二极管pn结多采用pin型，即p型半导体和n型半导体间增加基区i，由于基区较薄，其恢复时间较短（几十纳秒到几百纳秒）。因此两者间最主要区别为反向恢复时间不同。
04
应用说明
application description
普通二极管由于其反向恢复时间长，通常应用于频率为几十千赫以下的低频电路中，如交流市电的半波整流、桥式整流（桥堆）等。在实际应用中，会根据电路的工作频率，选择不同反向恢复时间的二极管。如果普通二极管用于高频电路中，高频电流通过普通二极管时，当二极管还处于上一个周期的恢复中，而下一个周期来临时二极管再次导通，产生电流的叠加，会导致二极管芯片功耗快速上升，温度迅速升高，在极短的时间内发生二极管击穿现象。因此，在二极管的选型中，不能忽略trr参数，可避免不必要的损失。
05
公司简介
company profile
mdd是国内少数采用了“fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供mosfet、sic、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。
mdd致力满足客户高品质需求，目前产品已广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域，并具有ul、rohs和reach等多项认证，可为客户提供可靠、优质和定制化的半导体解决方案商。
自成立以来，mdd 先后在国内外斩获百余项的专利与荣誉，业务覆盖全球40多个国家，同时享有国内外各电子领域企业的良好口碑。
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超快恢复二极管与普通二极管的区别
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普通二极管的pn结多采用面接触型，即p型半导体和n型半导体间的接触面积大，具有耐压高、平均电流大、恢复时间长（几百纳秒到几毫秒）等显著特点。快恢复或超快恢复二极管pn结多采用pin型，即p型半导体和n型半导体间增加基区i，由于基区较薄，其恢复时间较短（几十纳秒到几百纳秒）。因此两者间最主要区别为反向恢复时间不同。
04
应用说明
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普通二极管由于其反向恢复时间长，通常应用于频率为几十千赫以下的低频电路中，如交流市电的半波整流、桥式整流（桥堆）等。在实际应用中，会根据电路的工作频率，选择不同反向恢复时间的二极管。如果普通二极管用于高频电路中，高频电流通过普通二极管时，当二极管还处于上一个周期的恢复中，而下一个周期来临时二极管再次导通，产生电流的叠加，会导致二极管芯片功耗快速上升，温度迅速升高，在极短的时间内发生二极管击穿现象。因此，在二极管的选型中，不能忽略trr参数，可避免不必要的损失。
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公司简介
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mdd是国内少数采用了“fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供mosfet、sic、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。
mdd致力满足客户高品质需求，目前产品已广泛应用于汽车电子、新能源、工控、电源、家电、照明、安防、网通、消费电子等多个领域，并具有ul、rohs和reach等多项认证，可为客户提供可靠、优质和定制化的半导体解决方案商。
自成立以来，mdd 先后在国内外斩获百余项的专利与荣誉，业务覆盖全球40多个国家，同时享有国内外各电子领域企业的良好口碑。
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