三星推出第三代HBM2存储芯片，适用于高性能计算系统
日前，三星正式宣布推出名为flashbolt的第三代hbm2(hbm2e)存储芯片。
第三代hbm2存储芯片单颗最大容量16gb，由16gb的单die通过8层堆叠而成，可实现16gb的封装容量，并确保3.2gbps的稳定数据传输速度。
三星方面表示，新型16gb hbm2e特别适用于高性能计算(hpc)系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、ai驱动的数据分析和最新的图形系统。
三星预计第三代hbm2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代flashbolt产品。
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