1.问题:
wson package是什么类型封装?
回复:
son和dfn的封装本身没有区别...区别的是脚趾是否外露本体。
2.问题:
一颗ic decap后看到有个地方有这样像烧毁的现象,这大概会是什么因素造成的呢,静电,还是其他的呢?pin iv如下面这样:蓝色是正常的,绿色和红色是内部有烧现象的不良ic的。
回复:
要考虑这个区域是什么block(功能区),通常是过电压现象。
从图片看,是eos,因为只有eos才能看到burn mark痕迹,因为eos是长时间通电,如果是esd的话,是瞬时的,不可能有burn mark的。
静电不会这么恐怖,应该是eos。
curve没有线性段,看着不像短路问题,只是漏电变大了。
curve的形状与failure mode息息相关。
如果curve出现了线性区域,那肯定是电流回路里面出现了电阻和diode并联的情况,缺陷是电阻,电路是diode或者mos管。
如果是非线性的漏电流增大,肯定是diode本身发生了问题,但还没有发生gate diode击穿。
导电通路形成之前还有silc和软击穿阶段
击穿还会有鼓包,dbie。有正电压击穿和负电压击穿,电流流动的方向不一样,缺陷状态也不一样。这也是为什么有些esd defect在芯片表面,有些在si上面的原因。
3.问题:
wafer的pad是金pad,在金pad上镀上sn+ag, 通过锡膏倒扣在基板上。针对这种贴片方式,在封装上会有哪些可靠性风险?
回复:
这种封装通过锡膏,可能会存在基板变型,出现虚焊,连锡等问题,这个对基板锡膏材料要求很高,最好在wafer上先长柱形突点,按csp封装来做。贴装过程出现的隐裂也是需要考虑的方面。
4.问题:
单管雪崩击穿测试仪知道有什么进口品牌吗?
回复:
itc55100.
品牌官网: http://www.inttechcorp.com/ 大部分跟igbt有关。
5.问题:
单独的芯片可以做emc测试吗?
回复:
没见过这样做的,都是在整机做emc的,否则结果不能够repeat,或者采用系统板。
原文标题:季丰电子ic运营工程技术知乎 – w46
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