干法刻蚀解决RIE中无法得到高深宽比结构或陡直壁问题
在 mems 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 （reactive lon etching， rie）、深反应离子刻蚀（deep reactive lon etching， drie） 和xerf2各向同性蚀刻。 其中，rie也是微电子制造中常见的工艺。深反应离子刻蚀（drie）又称为电感耦合等离子体（inductively coupled plasma，icp）刻蚀，是一种高度各向异性干法刻蚀（anisotropic etch）工艺。drie使用刻蚀与钝化交替进行的bosch工艺，解决了rie中无法得到高深宽比结构或陡直壁的问题。drie使用两个射频源，其中线圈射频源（coil rf）用于产生等离子体，平板射频源（platen rf）用于产生偏压。这种分离的射频源可以分别调整rie刻蚀中射频功率与等离子体浓度。drie技术大大推进了mems技术的发展，目前主要的drie设备供应商为英国的sts和法国的alcatel。
深冷处理工艺 （cryogenic process）和 bosch 工 艺（bosch process）是实现drie 的两种主要方式，其中，bosch工艺为德国 robert bosch gmbh公司的技术专利。
drie 工艺存在的问题包括滞后 （rie lag）效应、侧璧底部掏蚀现象（charging）和锯齿形侧壁（sealloping）现象等。滞后效应是指刻蚀速率和开口窗口的大小有关，分为正效应（大的窗口刻蚀速率较快）和反效应（小的窗口刻蚀速率较快）两种；侧壁底部掏蚀现象导致深腔的底部出现侧向掏蚀：锯齿形侧壁现象，等比例地调节刻蚀时间和钝化时间，同时保持二者比例不变，可以减小锯齿形侧壁现象。
xef2刻蚀是一种各向同性刻蚀。在室温下，当压强小于 100mtorr （1torr=133.3224pa） 时，xef2从固态变为气态，xef2气体可以在室温下与硅发生反应，且刻蚀速率可达到每个进气周期20-50um。此外，xef2对掩模材料具有很好的选择比，如二氧化硅、氮化硅、铝和光刻胶均可作为掩模材料。但 xef2刻蚀深度不易控制，且刻蚀反应物中含有hf气体，需要进行严格的尾气处理。
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