SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
一、 引言
以si为衬底的mosfet管因为其输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，具有靠多数载流子工作导电特性，没有少数载流子导电工作所需要的存储时间，因而开关速度快，工作频率可到500khz，甚至mhz以上。但是随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。igbt具有高反向耐压和大电流特性，但是对驱动电路要求很严格，并且不适合工作在高频场合，一般igbt的工作频率为20khz以下。
sic作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。以sic为衬底的mosfet管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
二、 sic mosfet与si igbt性能对比
目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a，以常见的1200v/20a为例，列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数；同样例举了fairchild 与apt公司的1200v/20a si igbt系列的电气参数进行比较；
表1.sic mosfet与si mosfet的主要参数对比
通过表格性能对比，可以看出，sic mosfet有三个方面的性能是明显优于si igbt：
1.极其低的导通电阻rds（on），导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作；
2.sic mosfet管具有si mosfet管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的切换速率；
3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用；
三、 驱动电路要求
sic mosfet具有与si mosfet管非常类似的开关特性，通过对si mosfet的特性研究，其驱动电路具有相同的特性：
1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求；
2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成mosfet管的永久失效；
3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高mosfet管在关断状态下的工作可靠性，将驱动电路设计成在关断状态的时候，在栅极加上反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，减少了关断时间，使得驱动电路更可靠地关断mosfet；但是反向的驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6v；
4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率mosfet，或者是为了提高控制电路的抗干扰能力，此时将驱动电路设计成隔离驱动电路；实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件；但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件，都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容；采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。
四、 隔离电源特性需求
从驱动电路的特性来看，要求驱动电源具有以下特性：
1.为了适应高频率的使用要求，要求驱动电源具有瞬时的驱动大功率特性，即要求具有大的容性负载能力；
2.为了适应高电压应用使用要求，要求驱动电源具有高耐压能力并且具有超低的隔离电容，来减少高压总线部分对低压控制侧的干扰；
3.隔离驱动电源必须具有合适的驱动电压，即要求电源具有正负输出电压，并且正负输出电压不是对称输出特性；
金升阳针对sic隔离驱动电路的特点，推出了sic mosfet驱动专用电源qa01c。该电源电气性能参数全部达到sic mosfet驱动电路的要求，如：
?不对称驱动电压，输出电压 +20/-4vdc 输出电流+100/-100ma
?大容性负载能力，容性负载为220uf
?高隔离电压，达到3500vac
?极低的隔离电容，低至3.5pf
此驱动电源还满足了其他性能参数特点，具体功能如下：
? 效率高达83%
? 工作温度范围： -40℃ ~ +105℃
? 可持续短路保护
图1.qa01c实物图
qa01c具有完整的驱动电路推荐，通过sic驱动专用电源得到不对称的正向驱动电压20v，负向偏置关断电压-4v；为了防止驱动电压对栅极造成损坏，增加d2和d3来吸收尖峰电压是很有必要的。sic驱动器采用一般驱动芯片即可；为了实现控制信号与主功率回路的隔离，需要采取隔离措施，推荐采用常见的光耦隔离方案。采用的光耦必须具有高共模抑制比（30kv/us）和比隔离电源大的隔离耐压并且具有极小的延迟时间来适应sic mosfet管的高频率工作特性。
图2.sic驱动电路推荐
五、 总结
通过对sic mosfet管与si igbt管相关电气参数进行比较，我们发现sic mosfet将成为高压高频场合下的应用趋势。根据对sic mosfet管的开关特性的研究，金升阳推荐了能简化其隔离设计的专用电源qa01c，同时也推荐了基于sic mosfet的驱动电路。
参考文献：
【1】 钱照明等。 中国电气工程大典［m］。 北京：中国电力出版社，2009.6
【2】 keith billings著。 张占松等译。 开关电源手册［m］。北京：人民邮电出版社，2006.12
【3】 童诗白 华成英著。 模拟电子技术基础［m］。北京：高等教育出版社，1999
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sic作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。以sic为衬底的mosfet管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
二、 sic mosfet与si igbt性能对比
目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a，以常见的1200v/20a为例，列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数；同样例举了fairchild 与apt公司的1200v/20a si igbt系列的电气参数进行比较；
表1.sic mosfet与si mosfet的主要参数对比
通过表格性能对比，可以看出，sic mosfet有三个方面的性能是明显优于si igbt：
1.极其低的导通电阻rds（on），导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作；
2.sic mosfet管具有si mosfet管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的切换速率；
3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用；
三、 驱动电路要求
sic mosfet具有与si mosfet管非常类似的开关特性，通过对si mosfet的特性研究，其驱动电路具有相同的特性：
1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求；
2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成mosfet管的永久失效；
3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高mosfet管在关断状态下的工作可靠性，将驱动电路设计成在关断状态的时候，在栅极加上反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，减少了关断时间，使得驱动电路更可靠地关断mosfet；但是反向的驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6v；
4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率mosfet，或者是为了提高控制电路的抗干扰能力，此时将驱动电路设计成隔离驱动电路；实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件；但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件，都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容；采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。
四、 隔离电源特性需求
从驱动电路的特性来看，要求驱动电源具有以下特性：
1.为了适应高频率的使用要求，要求驱动电源具有瞬时的驱动大功率特性，即要求具有大的容性负载能力；
2.为了适应高电压应用使用要求，要求驱动电源具有高耐压能力并且具有超低的隔离电容，来减少高压总线部分对低压控制侧的干扰；
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参考文献：
【1】 钱照明等。 中国电气工程大典［m］。 北京：中国电力出版社，2009.6
【2】 keith billings著。 张占松等译。 开关电源手册［m］。北京：人民邮电出版社，2006.12
【3】 童诗白 华成英著。 模拟电子技术基础［m］。北京：高等教育出版社，1999
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