意法半导体新系列超级结晶体管改进多个关键参数
2021年10月26日，中国——stpower mdmeshk6 新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如， led 驱动器、hid 灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。
意法半导体800v stpower mdmesh k6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。mdmesh k6 的rds（on） x 面积参数在市场上现有800v产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。 此外，k6 系列的阈压比上一代 mdmesh k5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷 （qg） 也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。
芯片上集成一个 esd 保护二极管，将 mosfet 的整体鲁棒性提高到人体模型 （hbm） 2 级。 意大利固态照明创新企业tci（www.tcisaronno.net）的首席技术官、研发经理 luca colombo 表示：
我们已经测评了新的超结超高压 mdmesh k6 系列的样片，并注意到其出色的rdson* 面积和总栅极电荷 （qg） 性能特点，给我们印象深刻。
采用 to-220 通孔封装的stp80n240k6 （rds（on）max= 0.22Ω， qgtyp= 25.9nc）是首批量产的 mdmesh k6 mosfet，st estore网上商店现已提供免费样片。dpak 和 to-220fp 版本将于 2022 年 1 月前量产。 意法半导体将于 2022 年前推出mdmesh k6 的完整产品组合，将导通电阻rds（on）范围从 0.22ω扩大到 4.5ω，并增加一系列封装选项，包括 smd 和通孔外壳。
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