耗尽型MOSFET为负载提供过压保护的应用
耗尽型mosfet
应用电路如下：
在上述电路中，选择合适的稳压二极管vd1,即可得到稳定的输出电压vout。
输出电压vout与稳压二极管vd1的稳压值vz满足关系式：vout=vz+vr1=vz+|vth|
(vth即dmd4523e在一定电流下的阈值电压)。
使用dmd4523e时输入电压最高可达400v(需考虑dmd4523e的功耗)。上述应用可以为负载电路提供良好的过压保护。
dmd4523e
dmd4523e系列产品在容性负载、仪表、通讯设备中用于瞬态浪涌抑制、过流过压保护的应用。
该电路中仅使用一颗耗尽型mosfet+电阻r，就能限制流过负载回路的电流大小，为负载回路提供过流保护。
该系列产品可工作在较高电压下，能为负载回路提供过压保护及瞬态浪涌抑制。当负载出现短路时，为负载提供过流保护。该系列mosfet响应速度快，电路结构简单。
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