22nm技术节点的FinFET制造工艺流程
半导体器件的制造由许多步骤组成，这些步骤必须产生定义明确的结构，并且从一个器件到下一个器件的偏差很小。每一步都必须考虑之前和随后的制造步骤，以确保实现所需的高制造质量。大多数过程都是在真空腔室中通过引入不同的气态化学物质进行的，这些化学物质通过与基材反应来改变表面。ic最小特征的形成被称为前端制造工艺（feol），本文将集中简要介绍这部分，将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 finfet 的工艺流程，解释了 feol 制造过程中最重要的工艺步骤。
22 nm 技术节点的 finfet图示(分别具有单个栅极和三个源极和漏极触点)
下面给出最重要的制造步骤的图示, finfet制造的feol步骤通常类似于以下内容：
起始过程一般从清洁和抛光的晶体硅晶片开始。光刻：为了形成未来的导电通道，即鳍片(fin)，使用光刻技术制造掩模，其中只有某些区域被掩模材料覆盖。平版印刷工艺具有最大分辨率，这取决于所用光的波长。常用的193 nm波长的紫外光可以达到的最小尺寸约为30 nm。为了实现更小的特征，使用了自对准双图案化（sadp），通过使用化学气相沉积（cvd）各向同性地沉积薄层来产生更小的掩模。然后使用反应离子蚀刻 （rie） 定向蚀刻该薄层，留下沉积材料的薄柱，然后用作掩模，如下图所示：
sadp掩模版在si衬底上
使用生成的柱子作为初始掩码再次重复此过程称为四重图案 （qp）。为了避免这些复杂的多重图案化技术，一些制造商已经实现了极紫外（euv）光刻技术。
fin图案化：在这个阶段，晶体硅衬底被蚀刻，在掩模下方留下fin，随后形成mosfet的导电沟道。如下图所示，对蚀刻过程进行调整，使fin呈正锥形，从而向底部增加宽度。
硅fin通过刻蚀硅实现
浅沟槽隔离 （sti）：由于每个fin可能是不同晶体管的一部分，因此它们必须相互电绝缘。这是通过在各处沉积介电材料来实现的。然后使用化学机械平坦化 （cmp） 对晶圆进行抛光，以创建如下图所示的平坦化顶面。
sti沉积以电绝缘不同fin
fin释放：一旦表面抛光，就可以选择性地蚀刻介电材料，使晶体硅完好无损。因此，fin再次被释放并伸出介电材料，如下图所示，同时彼此隔离到足够的深度。
fin被释放以实现栅极与硅接触
金属栅极沉积：高介电常数金属栅极通常由三种不同材料的堆叠组成：fin周围具有高介电常数的薄层材料，通常表示为 κ，因此得名 high-k; 另一层稍厚的金属，称为栅极金属; 最后是一层更厚的栅极接触材料，通常是多晶硅（poly-si）。这些材料使用cvd或原子层沉积（ald）进行沉积。栅极图案化：在栅极接触材料的顶部，使用光刻技术创建另一个掩模。然后对栅极材料一个接一个地进行蚀刻，使栅极仅覆盖硅fin的中心部分，如下图所示。
栅极沉积及图案化
栅极间隔物(spacer)：为了将栅极与源极和漏极 （s/d） 区域电气隔离，使用 cvd 各向同性沉积间隔物介电材料。与sadp类似，rie随后将其定向去除，仅将聚合物留在浇极材料的侧面。从下图中可以看出，rie不具有选择性，并且在此制造步骤中硅fin也会被侵蚀。
栅极spacer沉积以电绝缘s/d
fin凹槽：然后对硅fin进行蚀刻，以便清洁它们，为后续过程做准备，导致介电材料垫片下方的fin蚀刻不足，如下图所示。
硅fin被刻蚀成凹槽
源极和漏极外延：现在已经清洁了fin表面，可以使用外延生长创建晶体 s/d 触点。这种生长速率随晶体方向变化很大，导致在如下图中观察到的特征金刚石形状。
s/d 外延
层间介电材料：在使用cmp抛光晶圆之前，沉积另一层介电材料以隔离s/d触点，从而产生如下图所示的最终mosfet结构，完成feol制造。
finfet的最终结构
feol步骤完成后，所有晶体管在工艺金属化过程中连接以形成电路，这是半导体制造工艺后端（beol）的一部分。这是分几层进行的，每层的关键尺寸都会增加，最终提供足够大的金属触点，以将ic连接到外围元件。单个晶圆可能包含数百个同时制造的芯片。由于现在所有晶体管和互连都已形成，因此晶圆可以切割成单个芯片。然后，每个芯片都有适合特定应用的转接板(interposer)以完成最后的封装工艺。
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sadp掩模版在si衬底上
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fin图案化：在这个阶段，晶体硅衬底被蚀刻，在掩模下方留下fin，随后形成mosfet的导电沟道。如下图所示，对蚀刻过程进行调整，使fin呈正锥形，从而向底部增加宽度。
硅fin通过刻蚀硅实现
浅沟槽隔离 （sti）：由于每个fin可能是不同晶体管的一部分，因此它们必须相互电绝缘。这是通过在各处沉积介电材料来实现的。然后使用化学机械平坦化 （cmp） 对晶圆进行抛光，以创建如下图所示的平坦化顶面。
sti沉积以电绝缘不同fin
fin释放：一旦表面抛光，就可以选择性地蚀刻介电材料，使晶体硅完好无损。因此，fin再次被释放并伸出介电材料，如下图所示，同时彼此隔离到足够的深度。
fin被释放以实现栅极与硅接触
金属栅极沉积：高介电常数金属栅极通常由三种不同材料的堆叠组成：fin周围具有高介电常数的薄层材料，通常表示为 κ，因此得名 high-k; 另一层稍厚的金属，称为栅极金属; 最后是一层更厚的栅极接触材料，通常是多晶硅（poly-si）。这些材料使用cvd或原子层沉积（ald）进行沉积。栅极图案化：在栅极接触材料的顶部，使用光刻技术创建另一个掩模。然后对栅极材料一个接一个地进行蚀刻，使栅极仅覆盖硅fin的中心部分，如下图所示。
栅极沉积及图案化
栅极间隔物(spacer)：为了将栅极与源极和漏极 （s/d） 区域电气隔离，使用 cvd 各向同性沉积间隔物介电材料。与sadp类似，rie随后将其定向去除，仅将聚合物留在浇极材料的侧面。从下图中可以看出，rie不具有选择性，并且在此制造步骤中硅fin也会被侵蚀。
栅极spacer沉积以电绝缘s/d
fin凹槽：然后对硅fin进行蚀刻，以便清洁它们，为后续过程做准备，导致介电材料垫片下方的fin蚀刻不足，如下图所示。
硅fin被刻蚀成凹槽
源极和漏极外延：现在已经清洁了fin表面，可以使用外延生长创建晶体 s/d 触点。这种生长速率随晶体方向变化很大，导致在如下图中观察到的特征金刚石形状。
s/d 外延
层间介电材料：在使用cmp抛光晶圆之前，沉积另一层介电材料以隔离s/d触点，从而产生如下图所示的最终mosfet结构，完成feol制造。
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