Vishay扩充其TrenchFETGen III P沟道功率MOSFET
宾夕法尼亚、malvern — 2013 年 7 月12 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出采用powerpak® 1212-8封装的-40v---sis443dn和powerpak® 1212-8s封装的-30v---siss27dn器件，扩充其trenchfet® gen iii p沟道功率mosfet。vishay siliconix sis443dn在-10v和-4.5v栅极驱动下具有业内较低的导通电阻，是首款-40v p沟道gen iii器件；siss27dn是首款采用powerpak 1212-8s封装的-30v mosfet。
sis443dn和siss27dn适用于24v、19v和12v负载开关，以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先，使设计者能够在电路里实现更低的压降，更有效地使用能源，并延长电池使用时间。
在需要更高电压的应用里，3.3mm x 3.3mm powerpak 1212-8封装的-40v sis443dn提供11.7mω（-10v）和16mω（-4.5v）的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，siss27dn提供了极低的5.6mω（-10v）和9mω （-4.5v）导通电阻，采用高度0.75mm的powerpak 1212-8s封装。
sis443dn和siss27dn进行了100%的rg和uis测试。mosfet符合jedec js709a的无卤素规定，符合rohs指令2011/65/eu。
新款p沟道mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。有关vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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在需要更高电压的应用里，3.3mm x 3.3mm powerpak 1212-8封装的-40v sis443dn提供11.7mω（-10v）和16mω（-4.5v）的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合，siss27dn提供了极低的5.6mω（-10v）和9mω （-4.5v）导通电阻，采用高度0.75mm的powerpak 1212-8s封装。
sis443dn和siss27dn进行了100%的rg和uis测试。mosfet符合jedec js709a的无卤素规定，符合rohs指令2011/65/eu。
新款p沟道mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。有关vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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