CEA-Leti发布“突破性”3D循序集成 (3DSI)
来源：silicon semiconductor
该成果确立了在工业平台（包括最先进的beol）上制造高性能硅cmos器件的可行性，且不影响底层的性能。
cea-leti在iedm 2023上描述了世界上首个cmos over cmos的3d循序集成(3dsi)，具有先进的金属线层级，这使得具有中间体beol的3dsi更接近商业化。
这一突破在论文“3d sequential integration with si cmos stacked on 28nm industrial fdsoi with cu-ulk ibeol features ro and hdr pixel”中详细介绍，该突破源于在工业cmos平台（28nm fdsoi）上循序堆叠的单晶cmos的演示和四个金属层。顶级cmos器件工艺在500°c的feol 300mm制造条件下在最先进的cu/ulk 28nm beol之上进行。
该论文的合著者兼cea-leti 3dsi集成负责人perrine batude说道：“这一成果确立了不影响底层性能的条件下，在工业平台（包括最先进的beol）上制造高性能硅cmos器件的可行性。与beol晶体管相比，它可以利用具有高性能、低变异性以及cmos共集成性的顶级器件充分发挥3dsi的潜力”。
全3dsi以前一直困扰着研究人员，特别是当它将中间体beol (ibeol) 与cu和ulk集成时，其中单晶cmos器件堆叠在工业cmos工艺之上。论文中阐述：“这项工作旨在演示这种集成，提供实现它的方法，并分析3d电路的性能”。
batude表示，这项研发也是世界上首次如此规模的3dsi演示，具有功能性3d电路演示的特点，例如3d环形振荡器和单次曝光高动态范围两层像素。
此外，多晶硅接地层的加入“预计将确保高达100ghz的40db隔离度，显示出这种集成与射频应用的相关性”，batude表示。
该论文全面展示了3dsi平台，其中包括功能性3d电路演示，例如3d逆变器、3d环形振荡器和单次曝光高动态范围两层像素。
简述System Generator的ECC加解密系统的设计
插损太大？您是否做对了这些！
微软全新真无线耳机将推迟到2020年春季上市
Steam平台VR月活跃用户年同比增长了160%
电脑灯控制台的使用
CEA-Leti发布“突破性”3D循序集成 (3DSI)
NVIDIA Mellanox网络的以太网被广泛应用于服务器等端到端的领域
LT8330单芯片满足众多工业和汽车应用的要求
日本农业IoT新突破，世界首款多功能土壤传感单芯片亮相
中兴通讯力推TD-SCDMA“多通道”室内覆盖解决方案
cd4511数码管驱动接线图
手机信号放大器安装方法_手机信号放大器辐射
MTK与高通的过招 骁龙845一击决胜
OPPO Find X2采用120Hz“超感屏”，支持120Hz ColorOS 7动画
印度发“粪”图强 制造牛粪灯、牛粪芯片...
MAX8903B 2A 1节Li+电池DC-DC充电器，用于
为什么Dc对于决定麦克风放置的位置很重要呢？
索尼Xperia 2曝光采用了带鱼屏设计和位于电源键上方的侧边指纹
闲话Zynq UltraScale+ MPSoC（连载4）
全国首例网约车交通事故宣判结果：交强险平台及司机均有责任
该成果确立了在工业平台（包括最先进的beol）上制造高性能硅cmos器件的可行性，且不影响底层的性能。
cea-leti在iedm 2023上描述了世界上首个cmos over cmos的3d循序集成(3dsi)，具有先进的金属线层级，这使得具有中间体beol的3dsi更接近商业化。
这一突破在论文“3d sequential integration with si cmos stacked on 28nm industrial fdsoi with cu-ulk ibeol features ro and hdr pixel”中详细介绍，该突破源于在工业cmos平台（28nm fdsoi）上循序堆叠的单晶cmos的演示和四个金属层。顶级cmos器件工艺在500°c的feol 300mm制造条件下在最先进的cu/ulk 28nm beol之上进行。
该论文的合著者兼cea-leti 3dsi集成负责人perrine batude说道：“这一成果确立了不影响底层性能的条件下，在工业平台（包括最先进的beol）上制造高性能硅cmos器件的可行性。与beol晶体管相比，它可以利用具有高性能、低变异性以及cmos共集成性的顶级器件充分发挥3dsi的潜力”。
全3dsi以前一直困扰着研究人员，特别是当它将中间体beol (ibeol) 与cu和ulk集成时，其中单晶cmos器件堆叠在工业cmos工艺之上。论文中阐述：“这项工作旨在演示这种集成，提供实现它的方法，并分析3d电路的性能”。
batude表示，这项研发也是世界上首次如此规模的3dsi演示，具有功能性3d电路演示的特点，例如3d环形振荡器和单次曝光高动态范围两层像素。
此外，多晶硅接地层的加入“预计将确保高达100ghz的40db隔离度，显示出这种集成与射频应用的相关性”，batude表示。
该论文全面展示了3dsi平台，其中包括功能性3d电路演示，例如3d逆变器、3d环形振荡器和单次曝光高动态范围两层像素。
简述System Generator的ECC加解密系统的设计
插损太大？您是否做对了这些！
微软全新真无线耳机将推迟到2020年春季上市
Steam平台VR月活跃用户年同比增长了160%
电脑灯控制台的使用
CEA-Leti发布“突破性”3D循序集成 (3DSI)
NVIDIA Mellanox网络的以太网被广泛应用于服务器等端到端的领域
LT8330单芯片满足众多工业和汽车应用的要求
日本农业IoT新突破，世界首款多功能土壤传感单芯片亮相
中兴通讯力推TD-SCDMA“多通道”室内覆盖解决方案
cd4511数码管驱动接线图
手机信号放大器安装方法_手机信号放大器辐射
MTK与高通的过招 骁龙845一击决胜
OPPO Find X2采用120Hz“超感屏”，支持120Hz ColorOS 7动画
印度发“粪”图强 制造牛粪灯、牛粪芯片...
MAX8903B 2A 1节Li+电池DC-DC充电器，用于
为什么Dc对于决定麦克风放置的位置很重要呢？
索尼Xperia 2曝光采用了带鱼屏设计和位于电源键上方的侧边指纹
闲话Zynq UltraScale+ MPSoC（连载4）
全国首例网约车交通事故宣判结果：交强险平台及司机均有责任