SiC MOSFET和SiC IGBT的区别
在sic mosfet的开发与应用方面，与相同功率等级的si mosfet相比，sic mosfet导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
虽然sic mosfet比传统的si mosfet有很多优点，但其昂贵的价格却限制了sic mosfet的广泛应用。近年来随着sic技术的成熟，sic mosfet的价格已经有了显著的下降，应用范围也进一步扩展，在不久的将来必将成为新一代主流的低损耗功率器件。
sic mosfet和sic igbt的区别
sic mosfet比导通电阻与击穿电压的平方呈正比。随阻断电压增大，特别是超过10kv的高压应用领域，sic mosfet器件导通电阻显著增大，为解决上述问题，研究的目光转向了igbt器件，详见图1。
图2. sic mosfet/igbt结构示意图
sic igbt由于电导调制效应，导通电阻显著减小，与sic mosfet器件相比具有明显优势。但碳化硅igbt与碳化硅mosfet结构上最大的区别为背面多了pn结，结电压为2.6v，限制了其应用在10kv以下领域。在10kv以下，sic mosfet具有优势，其导通电阻小于sic igbt。而在10kv以上，sic igbt具有优势，其导通电阻小于sic mosfet。
图2. sic igbt结构示意图
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