世强与泰高签署代理协议 满足市场对氮化镓充电器的需求
近日，深圳市泰高技术有限公司（下称“泰高”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署代理协议，授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。
资料显示，泰高是一家国产氮化镓功率器件公司，主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。
产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。
随着多种更快、更小计算器件的不断涌现，硅材料已难以维持摩尔定律，加上市场对高速、高温和大功率半导体器件需求的不断增长，使得半导体行业重新考虑半导体所用设计和材料。
其中，以氮化镓为代表的第三代半导体材料，在高温、高耐压以及承受大电流等多方面具备明显的优势。
相比传统的硅基材料，氮化镓具有更高的功率密度和更稳定的性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
基于宽带隙、高热导率的特点，氮化镓快充具有充电效率高、散热快、体积小巧等明显优势，已成为众多终端厂商的一大卖点。
为了满足市场对氮化镓充电器的需求，泰高最新推出了一款高达240w的氮化镓usb pd3.1多口快充电源方案。
该方案采用了新一代氮化镓方案，pcba三围尺寸为75.8*59.4*29.6mm³，大小与苹果61w单口充电器相比，体积缩小20%，支持三口同时快充输出，并适配市面上常见的快充协议。
值得一提的是，泰高实现了国内首家针对240w的氮化镓usb pd3.1多口快充电源方案中功率密度超过1.75w/cm³的参考设计。
按照额定输出功率240w计算，功率密度高达1.8w/cm³，已经在国家级实验室里通过emi/emc测试，并且有足够余量，能直接提供pcba给终端品牌客户生产，缩短品牌客户开发产品周期。
据了解，240w的氮化镓usb pd3.1多口快充电源方案能够显著减小大功率电源体积，很大部分得益于内置了四颗泰高tp44100sg氮化镓电源场效应管。
该产品采用qfn5*7mm²封装技术，耐压高达650v，可以在不需要外部供电vcc的情况下，由12v pwm控制器或者内置的6v氮化镓驱动的pwm控制器直接驱动。
同时该产品还具有高击穿电压和高可靠性，提高效率和功率密度的同时降低系统成本。
除电源功率芯片外，泰高的产品线还覆盖以氮化镓、碳化硅和砷化镓为半导体材料制成的射频开关、功率放大器和低噪声放大器，技术处于国际领先水平。
目前，泰高最新产品均已上线世强先进的电商平台——世强硬创，点击左下方原文阅读，搜索“泰高”即可获取产品技术资料，还可申请免费样品。
因为氮化镓比硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量，电动汽车、5g数据库、新能源等行业都有望在未来逐渐用氮化镓代替硅芯片进行充电，市场前景广阔。
对于此次合作，泰高希望能跟世强先进有深入的配合，包括在元器件的推广、方案设计和线上商城等多方面合作，从而实现双方互赢。
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其中，以氮化镓为代表的第三代半导体材料，在高温、高耐压以及承受大电流等多方面具备明显的优势。
相比传统的硅基材料，氮化镓具有更高的功率密度和更稳定的性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
基于宽带隙、高热导率的特点，氮化镓快充具有充电效率高、散热快、体积小巧等明显优势，已成为众多终端厂商的一大卖点。
为了满足市场对氮化镓充电器的需求，泰高最新推出了一款高达240w的氮化镓usb pd3.1多口快充电源方案。
该方案采用了新一代氮化镓方案，pcba三围尺寸为75.8*59.4*29.6mm³，大小与苹果61w单口充电器相比，体积缩小20%，支持三口同时快充输出，并适配市面上常见的快充协议。
值得一提的是，泰高实现了国内首家针对240w的氮化镓usb pd3.1多口快充电源方案中功率密度超过1.75w/cm³的参考设计。
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该产品采用qfn5*7mm²封装技术，耐压高达650v，可以在不需要外部供电vcc的情况下，由12v pwm控制器或者内置的6v氮化镓驱动的pwm控制器直接驱动。
同时该产品还具有高击穿电压和高可靠性，提高效率和功率密度的同时降低系统成本。
除电源功率芯片外，泰高的产品线还覆盖以氮化镓、碳化硅和砷化镓为半导体材料制成的射频开关、功率放大器和低噪声放大器，技术处于国际领先水平。
目前，泰高最新产品均已上线世强先进的电商平台——世强硬创，点击左下方原文阅读，搜索“泰高”即可获取产品技术资料，还可申请免费样品。
因为氮化镓比硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量，电动汽车、5g数据库、新能源等行业都有望在未来逐渐用氮化镓代替硅芯片进行充电，市场前景广阔。
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