IGBT模块的损耗特性介绍
igbt模块的损耗特性
igbt元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(eon)和关断损耗(eoff)之和。另外，内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断（反向恢复）损耗(err)之和。eon、eoff、err与开关频率的乘积为平均损耗。
igbt的损耗：
续流二极管的反向恢复损耗：
反向恢复损耗 err 开关特性的测试：
pdmb100b12开通损耗eon测量范例：
pdmb100b12关断损耗eoff测量范例：
1200v b系列开通损耗 eon （tj= 125℃），有关门极系列阻抗rg请参阅技术规格。
1200v b系列关断损耗 eoff (tj=125c)，有关门极系列阻抗rg请参阅技术规格。
1200v b系列续流二极管反向恢复损耗 err（tj= 125℃），有关门极系列阻抗rg请参阅技术规格。
1200v b系列err对门极串联电阻rg依存性（tj= 125℃）
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续流二极管的反向恢复损耗：
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pdmb100b12开通损耗eon测量范例：
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