兆易创新和Rambus合资公司实现电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的商业化
美国芯片设计商rambus宣布与中国存储器解决方案供应商兆易创新（gigadevice）合作建立一个在中国的合资企业reliance memory，以实现电阻式随机存取存储器（rram）技术的商业化。
rram作为一种新型电脑存储器，是基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。rram及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上，使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3d“高层”芯片可以解决大数据处理延迟，同时延长未来移动设备的电池寿命，提供更快，更高能效的解决方案。
不过，目前rram材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量，研究人员使用微热级的热板状装置加热rram芯片。rambus通过监测电子何时开始流过rram材料，团队能够测量材料形成导电通路所需的温度，并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°f和260°f（26.7和126.7℃）之间，远低于此前估计的1160°f（626.7℃）。未来的rram器件将需要更少的电力来产生这些温度，使得它们更节能。
rambus公司创立于1990年，公司创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发。由于其在内存技术上的先进性，很快成为了intel下一代高性能处理器的主存平台。
过去二十年，在pc时代rambus凭借其ddr、sdram技术在芯片行业占据垄断地位，通过投入研发，积累2500项专利。此前还通过与不少电脑内存片制造巨头在法院打官司，大都陆续达成授权和解。该公司在2015年开始重组，并将业务扩展至芯片设计以外领域，授权公司出售自己品牌及由供应商生产的授权芯片，包括美光、amd等。
兆易创新主要业务为闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售，其产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边，以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。
目前兆易创新已经成为国内的norflash领头羊，并在存储方面有很大投入。随着rambus和兆易创新合作建立一个在中国的合资企业，将会推进rram方面的研发投入并推向市场商用，此前没有rram技术的兆易创新也将随之受益。根据中国半导体行业协会数据，2012年以来，兆易创新为中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业，也是最大的串行norflash设计企业。据trendforce数据统计，按营业收入计算，2016年全球norflash市场公司排名第五位，市场占有率7%。
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不过，目前rram材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量，研究人员使用微热级的热板状装置加热rram芯片。rambus通过监测电子何时开始流过rram材料，团队能够测量材料形成导电通路所需的温度，并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°f和260°f（26.7和126.7℃）之间，远低于此前估计的1160°f（626.7℃）。未来的rram器件将需要更少的电力来产生这些温度，使得它们更节能。
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目前兆易创新已经成为国内的norflash领头羊，并在存储方面有很大投入。随着rambus和兆易创新合作建立一个在中国的合资企业，将会推进rram方面的研发投入并推向市场商用，此前没有rram技术的兆易创新也将随之受益。根据中国半导体行业协会数据，2012年以来，兆易创新为中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业，也是最大的串行norflash设计企业。据trendforce数据统计，按营业收入计算，2016年全球norflash市场公司排名第五位，市场占有率7%。
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