为什么3D NAND技术能占半导体存储器市场总额的32%？
存储器是半导体三大支柱产业之一。据ic insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，nand flash是一个亮点。其广泛应用于pc、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元，占半导体存储器市场总额的32%。
目前的闪存多属于planar nand平面闪存，也叫有2d nand或者直接不提2d，而3d闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，intel之前用盖楼为例介绍了3d nand，普通nand是平房，那么3d nand就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
3d nand技术与现有的2d nand（纳米制程技术）截然不同，2d nand是平面结构而3d nand是立体结构，3d结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极（gaa）结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。3d nand闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有vc垂直通道、vg垂直栅极等两种结构。
优势明显：适应小体积、大容量的市场需求
2d nand工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2d nand向3d nand转型是业界趋势。目前nand flash的制造技术达到16~19纳米工艺，已接近极限，进一步压缩尺寸会带来极高的成本且导致存储位不再稳定可靠。
表格1.flash 原厂纳米制程技术时程图
近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，nand flash制造技术向3d技术发展。3d nand flash通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3d nand flash不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3d nand比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用3d nand flash存储器的固态硬盘（ssd）其电路板面积也较小。根据中国闪存市场网估计，3d技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。根据三星在ssd峰会所述，tlc v-nand闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
目前3d nand的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。2016年开始3d nand flash将逐步对nand flash进行替代。
表格2.目前主流3d nand芯片堆栈层数
流量开关的工作原理
NovaThor U8500详解
解析5G商用为智能硬件带来的新机遇
半导体的电阻率该如何测量
智慧养老逐渐走向台前
为什么3D NAND技术能占半导体存储器市场总额的32%？
电池生产厂家之深圳豪鹏科技精益生产和产能发展
导热塑料的优势有哪些
特斯拉宣布：全球的超级充电桩已超过2万个
华为手机这2个功能，关键时刻大有用处！
数字示波器采样率是什么,和带宽有什么关系
小米仍在尝试继续研发异形屏机型，应用于柔性设备/可折叠手机
泛在电力物联网园区示范建设，让电网更智慧、百姓生活更美好
日本推出“共享坟墓”：电子屏幕、蓝牙护身符激活、自动更新信息
TIOBE发布了5月份编程语言排行榜，排名前三的还是万年不变的 Java、C、C++
华为商城318周年庆 720全效空气净化器福利来袭
【解决方案】安科瑞医疗隔离电源在医院的应用
2023云计算企业排行
腾讯与Medopad签署战略合作协议，启动帕金森AI辅诊技术
基于物联网的衣物全生命周期管理平台海尔衣联网介绍
目前的闪存多属于planar nand平面闪存，也叫有2d nand或者直接不提2d，而3d闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，intel之前用盖楼为例介绍了3d nand，普通nand是平房，那么3d nand就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
3d nand技术与现有的2d nand（纳米制程技术）截然不同，2d nand是平面结构而3d nand是立体结构，3d结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极（gaa）结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。3d nand闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有vc垂直通道、vg垂直栅极等两种结构。
优势明显：适应小体积、大容量的市场需求
2d nand工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2d nand向3d nand转型是业界趋势。目前nand flash的制造技术达到16~19纳米工艺，已接近极限，进一步压缩尺寸会带来极高的成本且导致存储位不再稳定可靠。
表格1.flash 原厂纳米制程技术时程图
近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，nand flash制造技术向3d技术发展。3d nand flash通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3d nand flash不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3d nand比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用3d nand flash存储器的固态硬盘（ssd）其电路板面积也较小。根据中国闪存市场网估计，3d技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。根据三星在ssd峰会所述，tlc v-nand闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
目前3d nand的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。2016年开始3d nand flash将逐步对nand flash进行替代。
表格2.目前主流3d nand芯片堆栈层数
流量开关的工作原理
NovaThor U8500详解
解析5G商用为智能硬件带来的新机遇
半导体的电阻率该如何测量
智慧养老逐渐走向台前
为什么3D NAND技术能占半导体存储器市场总额的32%？
电池生产厂家之深圳豪鹏科技精益生产和产能发展
导热塑料的优势有哪些
特斯拉宣布：全球的超级充电桩已超过2万个
华为手机这2个功能，关键时刻大有用处！
数字示波器采样率是什么,和带宽有什么关系
小米仍在尝试继续研发异形屏机型，应用于柔性设备/可折叠手机
泛在电力物联网园区示范建设，让电网更智慧、百姓生活更美好
日本推出“共享坟墓”：电子屏幕、蓝牙护身符激活、自动更新信息
TIOBE发布了5月份编程语言排行榜，排名前三的还是万年不变的 Java、C、C++
华为商城318周年庆 720全效空气净化器福利来袭
【解决方案】安科瑞医疗隔离电源在医院的应用
2023云计算企业排行
腾讯与Medopad签署战略合作协议，启动帕金森AI辅诊技术
基于物联网的衣物全生命周期管理平台海尔衣联网介绍