X-FAB为针对模拟电路设计而降低了XP018芯片的成本
（文章来源：ofweek电源网）
x-fab针对可携式模拟应用提供180nm优化的工艺。xp018工艺的多样选择以降低芯片的成本。这些选项是成本敏感的消费性应用与需要180nm技术、模拟集成的理想选择。
x-fab针对模拟电路设计降低xp018芯片成本有几个方面：新推出的单电压5v的选项移除了1.8v的部分以减少整体光罩的数量，对成本敏感的可携式应用提供有价值的回报。
5v环境中的i/o单元、数字库、一次性可程序化(otp)内存和模拟模块均兼容于xp018所有的高压选项，使其可用于任何类型的驱动器。针对驱动压电或电容性的系统，导通电阻优化的12v晶体管减少了所需要的芯片面积。此外，5v模块中一次性可程序化(otp)内存的编译程序可支持至16kbit，互补于现有的polyfuses。
适用于不同需求的金属绕线–一个新式的金属模块概念首次引入xp018平台–节省了设计成本。它允许mim电容灵活地和其他金属层互相堆栈。最后，60v的金属边际电容(metalfringecapacitor)与1kohm的poly电阻简化60v供电环境中高电压应用的设计。
x-fab高压产品线的产品营销经理sebastianschmidt提到，“这项新工艺确实为我们的客户提供很大的效益。20层光罩的工艺是具有竞争力的，客户可以藉由180nm高密度的数字逻辑与5v、12v至50v的推挽驱动来建立他们的混合讯号系统芯片–非挥发性内存(nvm)的可用性也进一步加强。因此，这是一个为智能型驱动与模拟ic所设计的绝佳技术。”
新式的xp018是汽车电子验证过的工艺–x-fab的标准功能–并提供全面性的pdk支持与操作温度-40至175摄氏度的应用。
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x-fab高压产品线的产品营销经理sebastianschmidt提到，“这项新工艺确实为我们的客户提供很大的效益。20层光罩的工艺是具有竞争力的，客户可以藉由180nm高密度的数字逻辑与5v、12v至50v的推挽驱动来建立他们的混合讯号系统芯片–非挥发性内存(nvm)的可用性也进一步加强。因此，这是一个为智能型驱动与模拟ic所设计的绝佳技术。”
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