汽车芯片AECQ100认证测试，AEC-Q100认证是什么
aec-q100认证是什么？
aec-q100对ic的可靠性测试可细分为加速环境应力可靠性、加速寿命模拟可靠性、封装可靠性、晶圆制程可靠性、电学参数验证、缺陷筛查、包装完整性试验，且需要根据器件所能承受的温度等级选择测试条件。需要注意的是，第三方难以独立完成aec-q100的验证，需要晶圆供应商、封测厂配合完成，这更加考验对认证试验的整体把控能力。广电计量将根据客户的要求，依据标准对客户的ic进行评估，出具合理的认证方案，从而助力ic的可靠性认证。
如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了aec q100 认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了aec q100 认证。
grgt芯片测试能力：芯片可靠性验证 ( ra)；芯片级预处理(pc) & msl试验 、j-std-020 & jesd22-a113 ；高温存储试验(htsl), jesd22-a103 ；温度循环试验(tc), jesd22-a104 ；温湿度试验(th / thb), jesd22-a101 ；高加速应力试验(htst / hast), jesd22-a110；高温老化寿命试验(htol), jesd22-a108。
芯片静电测试 ( esd)：人体放电模式测试(hbm), js001 ；元器件充放电模式测试(cdm), js002 ；闩锁测试(lu), jesd78 ；芯片ic失效分析 ( fa)：光学检查(vi/om) ；扫描电镜检查(fib/sem)；微光分析定位(emmi/ingaas)；obirch ；micro-probe；聚焦离子束微观分析(fib)；弹坑试验(cratering)；芯片开封(decap)；芯片去层(delayer)。
晶格缺陷试验(化学法)，pn结染色 / 码染色试验，推拉力测试(wbp/wbs)，红墨水试验，pcba切片分析(x-section)。
芯片材料分析：高分辨tem (形貌、膜厚测量、电子衍射、stem、haadf)；sem (形貌观察、截面观察、膜厚测量、ebsd)；raman (raman光谱)；afm (微观表面形貌分析、台阶测量)。
aec-q100试验后元器件失效分析项目：
① 形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、x射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
② 成分检测技术：x射线能谱edx、俄歇能谱aes、二次离子质谱sims、光谱、色谱、质谱
③ 电分析技术：i-v曲线、半导体参数、lcr参数、集成电路参数、频谱分析、esd参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
④ 开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
⑤ 缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、obirch。
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如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果，那么将允许供应商声称他们的零件通过了aec q100 认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些，但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了aec q100 认证。
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晶格缺陷试验(化学法)，pn结染色 / 码染色试验，推拉力测试(wbp/wbs)，红墨水试验，pcba切片分析(x-section)。
芯片材料分析：高分辨tem (形貌、膜厚测量、电子衍射、stem、haadf)；sem (形貌观察、截面观察、膜厚测量、ebsd)；raman (raman光谱)；afm (微观表面形貌分析、台阶测量)。
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① 形貌分析技术：体视显微镜、金相显微镜、x射线透视、声学扫描显微镜、扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束。
② 成分检测技术：x射线能谱edx、俄歇能谱aes、二次离子质谱sims、光谱、色谱、质谱
③ 电分析技术：i-v曲线、半导体参数、lcr参数、集成电路参数、频谱分析、esd参数、电子探针、机械探针、绝缘耐压、继电器特性。
④ 开封制样技术：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片。
⑤ 缺陷定位技术：液晶热点、红外热像、电压衬度、光发射显微像、obirch。
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