新唐科技ML51FB9AE控制器简介

ml51fb9ae 为内建 flash 的增强型 1t 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 ua/mhz 以及休眠模式下功耗可低于 1 ua。此系列最高速可达 24 mhz,并内建 38.4 khz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 v 至 5.5 v 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。
ml51fb9ae 包含 16 k 字节的 flash 以及一个额外 1 k 字节片上辅助 ram(xram), 备有丰富的外设,如 16 个通用 i/o、2 组串口、1 组 iso-7816 界面、2 组 i²c 与 1 组 spi,并提供 tssop20 封装。
目标应用:
穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。
关键特性:
• cpu
- 全静态 8 位 1t 8051 内核 cmos 微控制器
- 指令集全兼容 mcs-51
- 4 级优先级中断配置
- 双数据指针 (dptrs)
• 工作条件
- 宽电压工作范围 1.8 v 至 5.5 v
- 宽工作频率最高至 24 mhz
- 工业级工作温度 - 40 ℃至 + 105 ℃
• 低功耗特性
- 正常运行模式典型功耗 80 ua/ mhz
- 低功耗运行模式典型功耗 15 ua
- 低功耗空闲模式功耗不超过 13 ua
- 掉电模式典型功耗小于 1 ua
- 掉电模式下唤醒时间为 10 us (hirc运行)
• 内存
- 16 k 字节 aprom, 用于使用者代码
- 可配置 4k/3k/2k/1k 字节 ldrom, 用于启动系统程序设计(isp)代码
- aprom中应用编程(iap)内存 128 字节每页累加
- flash 内存 100,000 次擦写寿命
- 代码安全加密
- 256 字节片上 ram
- 额外 1 k字节片上辅助 ram (xram) ,通过 movx 指令访问
• 时钟源
- 24 mhz 高速内部振荡器 (hirc) ± 1 %精度等级 (25 °c, 3.3 v) 全工作条件范围下精度 ±5 % 精度等级
- 38.4 khz低速内部振荡器 (lirc) ± 1 %精度等级 (25 °c, 3.3 v) , 全工作条件范围下精度 ± 10 % 精度等级
- 外置 4 ~ 24 mhz (hxt)晶振输入为精密定时操作
- 外置 32.768 khz (lxt)晶振输入
- 运行中可通过软件对时钟源切
- 可编程系统时钟分频器从1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512
• 外设
- 16 个通用输入输出引脚。所有输出引脚具有独立的2级电平转换速率控制
- 8 通道 gpio 中断,具备边缘/电平检测,全部 16 个 gpio 均可配置为输入源之一
- 标准中断引脚 int0 和 int1 兼容标准 8051
- 两组 16 位定时/计数器 0 和 1 兼容标准 8051
- 一组 16 位定时器 2 带 3 通道输入捕获模块
- 一组16位自动重载定时器 3
- 一组可程序设计看门狗定时器 (wdt)
- 一组专用的自唤醒定时器 (wkt)
- 两组全双工串口
- 一组智能卡接口支持 iso7816-3
- 一组spi端口支持主机和从机模式,当系统时钟为 24 mhz 时传输速率高达 6 mbps
- 两组 i²c 总线支持主机和从机模式,数据传输率高达 400 kpbs
- 6 * 16 - bit 组,12 通道脉宽调制器(pwm)输出,高达 16 位分辨率
- 一组 12 位 adc,当 vdd 大于 2.5 v 转换速率高达 500 ksps
• 电源监视器
- 欠压检测 (bod) 可用于低功耗模式,7 个级别可选,可配置中断或复位
- 上电复位 (por)
- 低电压复位 (lvr)
• 强效esd及eft能力
- esd hbm 通过 8 kv
- eft > ± 4.4 kv
- 闩锁测试通过 150 ma
• 开发工具
- nuvoton nu-link 基于 keiltm 和 iar 开发环境
- nuvoton 电路编程 (nu-link)
- nuvoton 在系统编程 (isp) 通过 uart
规格数据

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