瑞晶预计提前转进30纳米制程

dram报价直逼历史低价,在dram产业笼罩一片低气压时,瑞晶的制程转进速度仍是一马当先,原本预定2011年底前旗下所有产能都全数转进30纳米制程,日前目标已提前达阵,但因母公司尔必达(elpida)应部分客户需要40纳米制程产品,因此保留2万片产能在40纳米,在制程转进成功后,预计成本可进一步下滑,虽然相较于目前dram报价仍是亏钱,但仍是台厂中竞争力最强的业者。
瑞晶一向是台系dram厂中制程转换速度最快的业者,旗下8万片12寸晶圆厂领先在2011年转进40纳米制程,日前又在30纳米制程上抢得头筹,且比原订进度提前1个月达阵,在全球竞争力上更上一层楼。
瑞晶原本预定在2011年底前,将旗下所有产能都转进30纳米制程,但现在已提前在11月达成此目标,目前12寸晶圆厂已全数用30纳米制程技术投片,但因为尔必达客户临时希望能有部分40纳米制程产品可以出货,因此瑞晶临时保留约2万片产能用于40纳米制程。
业者分析,2011年第4季以来dram报价受到泰国水患硬盘缺货影响,再度缓跌直达冰点,报价几乎直探历史低点,即使用最先进的30纳米制程生产也仍是亏钱,不过,瑞晶能提前完成制程转换,在技术实力上仍证明已大幅拉近和国际大厂间的竞争差距,届时若报价止跌反弹,也会是最大的受益者。
根据分析,以30纳米制程生产2gb ddr3芯片含封装测试的成本约1.1~1.2美元,虽然制程微缩让芯片成本下滑,但仍卡在封测成本仍相当高,而若以30纳米制程生产4gb芯片,成本则可降至2美元水平。
由于瑞晶的生产成本极具优势,且每一世代的制程转换速度都优于原订目标,是少数有机会追赶三星电子(samsung electronics)、海力士(hynix)等韩系大厂的dram厂,瑞晶母公司尔必达在成本考量,加上日币大幅升值下,未来也会加速将dram生产基地移到瑞晶生产,以符合pc dram的生产竞争力。

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