英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
近日，英飞凌科技股份公司（fse： ifx / otcqx： ifnny）将easydual™ coolsic™ mosfet模块升级为新型氮化铝（ain） 陶瓷。该器件采用半桥配置， easydual 1b封装的导通电阻（r ds（on））为11 mω，easydual 2b封装的导通电阻（r ds（on））为6 mω。升级为高性能ain后，该1200 v器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。
easydual模块ff11mr12w1m1_b70和ff6mr12w2m1_b70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新coolsic mosfet技术。由于dcb材料的热导率更高，结到散热器的热阻（r thjh）最多可以降低40%。在coolsic easy模块中，该新型ain陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。
供货情况
easydual coolsic mosfet模块ff11mr12w1m1_b70和ff6mr12w2m1_b70现在即可订购。
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