忆芯科技首款DRAM-Less固态硬盘，搭载自研主控，让消费者轻松享受迅捷NVMe速度
忆芯科技推出了搭载自研star1000p主控的dram-less消费级ssd方案star1200l，这是忆芯科技面对消费级市场，首次推出的dram-less架构pcie gen 3.0 m.2主流nvme消费级解决方案，采用忆芯科技先进的star1000p nvme ssd控制器，长江存储3d tlc闪存颗粒，配合忆芯科技成熟固件，具有高性能、高可靠、低功耗、单面轻薄等特点，适配多cpu平台和多操作系统，可适用于各大pc、oem厂商及轻薄笔记本市场，使更广泛的用户可以更轻松地享受到迅捷的nvme速度。
搭载高端自研主控 满足高可靠性应用
与以往主流消费级产品在主控芯片选择上不同的是，star1200l ssd方案选择搭载自研高端star1000p nvme ssd控制器，这款主控芯片在业界具有领先的连续读写和随机读写性能，再配合忆芯科技自研的成熟固件，可以实现端到端数据保护，满足高可靠性应用。star1200l ssd方案在底层核心技术加持下，产品性能得以保证。
高性能、低功耗、高可靠性
star1200l ssd方案采用紧凑型m.2 2280外形，单面简化设计，顺序读取高达3.5gb/s，顺序写入高达 3.0gb/s，4k随机最大读写iops分别为530k和330k，读写延时低至75us / 15us，连续读取功耗5.4w，连续写入功耗5.2w，待机功耗低至82mw。同时它具有大规模slc缓存容量，用户可以在更长时间享受到高性能速率。
此外star1200l ssd方案提供了256g、512g和1t三种容量，加上灵活的配置方案和定制化参数，可满足瞬时高性能存储需求。star1200l方案提供行业领先的5年有限质保，以及tbw即总写入字节数保证，具体写入字节数根据产品容量不同而有所区别，256gb提供150tb，512gb提供300tb，1tb提供600tb的写入量。star1200l ssd方案的整体性能和运算速度可以让用户充分享受装机体验、开机体验以及拷贝体验的迅捷速度。
dram-less设计 性能稳定具有性价比优势
采用了hmb技术即主机内存缓冲，将驱动器直接链接到主机处理器进行缓存，以克服dram-less设计的性能短板，使star1200l方案能够实现与dram-base方案相媲美的稳定性读写和随机读写。dram-less设计，减少了缓存ddr器件，整体的性价比优势明显。
作为国内较早致力于高性能固态硬盘主控芯片研发和解决方案提供商，忆芯科技坚持自主原创中国芯，持续投入研发力量，现已成功完成3款高端消费级入门企业级ssd主控芯片流片,推出多款搭载原创主控star1000p的全国产方案，包括消费级解决方案star1200c，star1200l,工业级解决方案star1200i，企业级解决方案star1200e，人工智能存储方案deepssd®系统的服务大数据应用，提供稳定高效安全的数据存储服务。通过搭载合肥长鑫ddr颗粒以及长江存储的闪存颗粒，出色的性能和产品质量在消费和企业市场上获得很大的认可度。
2021年，忆芯科技新一代存储主控芯片star2000蓄势待发，将会聚焦打入行业及企业级存储市场，趁势突破，争当国产中国芯赋能科技强国的排头兵。
fqj
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搭载高端自研主控 满足高可靠性应用
与以往主流消费级产品在主控芯片选择上不同的是，star1200l ssd方案选择搭载自研高端star1000p nvme ssd控制器，这款主控芯片在业界具有领先的连续读写和随机读写性能，再配合忆芯科技自研的成熟固件，可以实现端到端数据保护，满足高可靠性应用。star1200l ssd方案在底层核心技术加持下，产品性能得以保证。
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star1200l ssd方案采用紧凑型m.2 2280外形，单面简化设计，顺序读取高达3.5gb/s，顺序写入高达 3.0gb/s，4k随机最大读写iops分别为530k和330k，读写延时低至75us / 15us，连续读取功耗5.4w，连续写入功耗5.2w，待机功耗低至82mw。同时它具有大规模slc缓存容量，用户可以在更长时间享受到高性能速率。
此外star1200l ssd方案提供了256g、512g和1t三种容量，加上灵活的配置方案和定制化参数，可满足瞬时高性能存储需求。star1200l方案提供行业领先的5年有限质保，以及tbw即总写入字节数保证，具体写入字节数根据产品容量不同而有所区别，256gb提供150tb，512gb提供300tb，1tb提供600tb的写入量。star1200l ssd方案的整体性能和运算速度可以让用户充分享受装机体验、开机体验以及拷贝体验的迅捷速度。
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采用了hmb技术即主机内存缓冲，将驱动器直接链接到主机处理器进行缓存，以克服dram-less设计的性能短板，使star1200l方案能够实现与dram-base方案相媲美的稳定性读写和随机读写。dram-less设计，减少了缓存ddr器件，整体的性价比优势明显。
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