三星西安厂计划将NAND工艺升级为236层 明年初更换设备
据业界2日透露，三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，将目前正在生产的128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
三星决定在因经济不景气而堆积库存的128段nand中减少旧型产品，供应未来需求较多的236段nand等，正在加快向先进工程的转型。
随着西安工厂的升级，平泽第1工厂（p1）的nand工艺也将从128段转换为236段，已经开始转换。
西安工程升级备受关注的原因是此前禁止向中国出口可以生产200段以上nand的设备的《美国半导体设备法》。
西安工厂是占三星nand生产量约40%的核心工厂。128 nand由于市场状况的恶化，生产越多，库存就越堆积。三星急需改进工程。
今年10月，美国将三星和sk海力士指定为“经过验证的最终用户（veu）”，三星无需另外申请也可以进口设备。之后，三星决定改编工厂的前台生产线。
nand闪存端口的数量是指堆叠的内存单元的数量，这个数量越多，容量就越大。三星电子目前拥有的236段nand闪存计划明年初批量生产约300段的新一代nand闪存（v9）。
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