3D晶体管技术革新现代电子产业
3d晶体管技术革新现代电子产业
从前面关于3d tri-gate工艺的介绍来看，这一创新技术给桌面处理器带来了无“限”可能，实际上，tri-gate工艺还将引发现代电子产业的革新。
intel将在以上五家晶圆厂采用22nm tri-gate制造工艺
3d tri-gate工艺为移动设备带来更广阔发展空间
晶体管是现代电子的基石，3d tri-gate工艺一举改变了沿用了50多年的晶体管设计，它不仅延续了摩尔定律，还将为移动处理器芯片扫清体积和功耗上的障碍，从而在为移动计算设备提供媲美桌面处理器性能的同时，进一步降低设备功耗，这在电池技术发展缓慢的当前具有非凡的意义。
晶体管制造工艺发展
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intel目前正在进入移动处理芯片市场，借助3d tri-gate工艺，intel可以推出更低功耗的atom处理器(关于atom处理器发展历史可参考文章：终究能否逆天！intel atom全面回顾)，从intel atom处理器路线图上我们看到，intel计划于2014年推出14nm的atom，3d tri-gate工艺则在2013年就登陆22nm的atom了。在3d tri-gate新工艺帮助下，intel将能推出性能更强、功耗更低的soc芯片，一切顺利的话，智能手机和平板机市场的格局将会全面改变。
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