60 V第四代n沟道功率MOSFET：业内适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，vishay宣布推出新款60 v trenchfet®第四代n沟道功率mosfet---siss22dn，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 v条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm powerpak® 1212-8s封装。
与逻辑电平60 v器件不同，siss22dn提高了典型vgs(th)和miller（米勒）平台电压，适用于栅极驱动电压高于6 v的电路，器件最佳动态特性缩短死区时间，防止同步整流应用发生击穿。siss22dn业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—qoss为34.2 nc，qoss与导通电阻乘积，即零电压开关（zvs）或开关柜拓扑结构功率转换设计中，mosfet的重要优值系数（fom）达到最佳水平。为实现更高功率密度，器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的pcb空间。
siss22dn改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗，多电源管理系统构件可实现更高效率，包括ac/dc和dc/dc拓扑结构同步整流、dc/dc转换器主边开关、降压-升压转换器半桥mosfet功率级，以及通信和服务器电源or-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
mosfet经过100 % rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。
siss22dn现可提供样品并已实现量产，供货周期为30周，视市场情况而定。
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