TI推出低侧栅极驱动器LM5114
日前，德州仪器 (ti) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 mosfet 与氮化镓 (gan) 功率场效应晶体管 (fet) 使用的低侧栅极驱动器。lm5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 gan fet 与 mosfet。该系列加上 2011 年推出的业界首款 100 v 半桥 gan fet 驱动器 lm5113，可为高性能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率 gan fet 与 mosfet 提供完整的隔离式 dc/dc 转换驱动器解决方案。
lm5114 可通过 5 v 电源电压的独立源极与汲极输出(sink and source output)驱动标准 mosfet 与 gan fet。它具有使用较大或并行 fet 的大功率应用中所需的 7.6 a 高峰值关断电流功能。此外，提高的下拉强度还有助于该器件驱动 gan fet。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管，准确控制升降时间。
lm5114 低侧栅极驱动器的主要特性与优势：
·可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率;
·+4 v 至 +12.6 v 单电源支持各种应用;
·0.23 欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;
·7.6 a/1.3 a 峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(dv/dt)的影响;
·匹配反相及非反相输入之间的延迟时间，可降低停滞时间损耗;
·12 ns 典型传播延迟可在提高效率的同时，支持高开关频率;
·高达 14 v 的逻辑输入(不受 vcc 影响);
·-40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。
供货情况与封装
lm5114 现已开始批量供货，可通过 ti 及其授权分销商进行订购。该器件采用 6 引脚 sot-23 封装或裸焊盘 6 引脚 llp 封装。
了解有关 ti 电源管理产品系列的更多详情：
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·7.6 a/1.3 a 峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(dv/dt)的影响;
·匹配反相及非反相输入之间的延迟时间，可降低停滞时间损耗;
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·高达 14 v 的逻辑输入(不受 vcc 影响);
·-40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。
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