本应用笔记介绍了 polyzen 设备在 led 应用中保护 eos 的功能。这篇文章指出,polyzen 设备可以帮助降低 eos 能量水平,降低复杂性和成本,提供多功能可复位保护,提供节省空间和成本的替代方案。
随着当今对提高节能和降低功耗的需求不断增长,发光二极管(或 led)已成为下一代照明应用的首选解决方案。因此,人们越来越关注防止 eos(电气过应力)事件造成的损坏,eos 事件具体指 led 应用可能受到的任何不良电压、电流或功率。
当 eos 事件超过设计规范的最大要求时,led 应用很容易受到损坏。eos 事件通常是短暂的;这意味着它们发生的时间很短,通常不到一秒,并且通常被称为尖峰(例如,电流尖峰或电压尖峰)。但是,eos 事件可以是永久性的,例如将电池向后插入电池供电的 led 手电筒。任何单个 eos 事件,无论持续时间长短,或任何数量的事件,都有可能对 led 造成损坏。这种损坏可以表现为立即故障或在 eos 事件后数小时内发生的故障。
polyzen 集成方法
polyzen 器件集成了一个精密齐纳二极管和一个 polyswitch pptc(聚合物正温度系数)器件,它们是热键合的。本质上,polyzen 器件提供了一个热保护齐纳二极管,在单个封装中提供了多种优势。polyzen 系列产品包括两个设备系列,部件号以“ls”和/或“ce”结尾。每个系列都提供不同齐纳电压 (vz)、pptc 保持电流 (ihold) 和输入电压额定值 (vintmax – 称为 vin) 选项的组合。这一系列选项为设计人员提供了多种器件,可用于需要过流/过压保护的各种实际应用。polyzen 产品示意图和相关术语定义如图 1 所示。
polyzen 产品示意图及相关术语定义
polyzen 设备可用于空间受限的设计。它们的热保护精密齐纳二极管可以帮助保护电子设备免受电压瞬变、反向偏置、过流和电源使用不当引起的故障。主要优势包括多个器件的可用性、小尺寸、单个表面贴装组件、可重置性以及提供超越分立器件性能的多功能保护。
polyzen 设备:工作原理
当使用 polyzen 器件的应用中发生过压故障时,器件的齐纳二极管和 pptc 协同工作以帮助提供保护。发生保护是因为当齐纳二极管接近钳位电压时,流经齐纳二极管的电流会导致其温度升高。由于 pptc 是热粘合的,它也暴露在温度升高的环境中。这会导致它跳闸或进入高阻状态。设备的 iout 和 iflt 将大大降低,不仅保护 polyzen 设备,还保护下游电子设备。
过压故障保护在齐纳钳位时发生,无论二极管是正向偏置还是反向偏置。te 电路保护在 polyzen 设备中利用精密齐纳二极管,因为它允许电流在任一方向流动。
通用 polyzen 设备的应用框图如图 2 所示。
polyzen 设备典型应用框图
图 3 显示了特定 polyzen 器件的典型故障响应。在此示例中,polyzen 器件(部件号 zen056v130a 24ce)集成了一个 5.6v 齐纳二极管 (vz)、一个 1.3a ihold pptc 和一个 24v vin(指定作为 vintmax 但缩短为 vin)。vin 连接到 24v、10a 限流电源且 iout=0。当故障电流在 24v 过压 (vin) 故障下通过系统时,polyzen 器件的精密齐纳二极管将输出电压钳位在齐纳钳位电压 vz (~5.6v) 以保护负载电路。同时,pptc 器件跳闸,切断电流以帮助保护齐纳二极管以及整个电路。
polyzen 设备的典型故障响应
led应用中的eos故障
led 应用中 eos 故障的典型情况是电源输出不稳定、过压/过流条件产生的噪声、组件退化以及热插拔应用中的电流浪涌。
如前所述,eos 故障通常是暂时的,但也可能是永久性的。基本上,当电压或电流尖峰(即 eos 故障)的能量超过 led 的指定设计值时,就会损坏 led。eos 故障会导致 led 立即损坏,或者在某些情况下,仅在 eos 事件存在一段时间后才会导致故障。
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