充电模式模拟CMOS电路的设计
经过两年的初步研究，以及几项正在申请的专利，去年夏天成立，加利福尼亚创业公司赛道种子父母和女儿联合创始人鲍勃和苏珊舒柏已经开始对他们的深度子微米基于cmos的模拟电路。
创始人将他们的关键发明，互补电流场效应晶体管(cifet)描述为充电模式模拟cmos电路设计，重点关注器件中的电荷。他们声称，新技术可以与数字工艺节点一起缩小，可能取代大多数附加模拟电路，并在任何节点上提供全混合信号soc集成的圣杯。
两位联合创始人记录了3阶段cifet前馈放大器产生20位线性度，并表示他们已经在40nm芯片上使用几个模拟模块(包括放大器，adc和pll)证明了他们的设计方法，工作范围可低于0.1v。这组作者说，这些电路以逻辑速度运行，是自偏置的，不受参数变化的影响。不需要精密部件或匹配，电路可以显示极高的功率噪声抑制。
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