第六讲 逻辑门电路
第六讲 逻辑门电路
第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
3. 2 分立元件门电路
3. 2. 1 二极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性
3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性
3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路
3. 2. 5 组合逻辑门电路
一、与非门电路
二、或非门电路
作业：p87 3.10
第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路
正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平的情况；
负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。
（此处用数字电路网络课程或powerpoint）
二、动态开关特性 （powerpoint）
在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。
当输入电压ui 由正值uf 跃变为负值ur 的瞬间，vd 并不能立刻截止，而是在外加反向电压 ur作用下，产生了很大的反向电流ir ，这时 id＝ ir≈- ur／r，经一段时间 trr后二极管vd 才进人截止状态，如图3. 2. 3 (c) 所示。通常将trr 称作反向恢复时间。
产生 trr的主要原因是由于二极管在正向导通时，p区的多数载流子空穴大量流入n区，n区的多数载流子电子大量流入p区，在p区和n区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当ui 由uf 跃变为负值 ur时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流 ir，随着存储电荷的不断消散，反向电流 也随之减少，最终二极管vd 转为截止。
当二极管vd 由截止转为导通时，在p区和n区中积累电荷所需的时间远比trr 小得多，故可以忽略。
3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路
表3.2.3 或门输入和输出的逻辑电平 表3.2.4 或门的真值表
表3.2.5 非门的真值表
二、或非门电路
列出其真值表
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3. 2. 1 二极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性
3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性
3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路
3. 2. 5 组合逻辑门电路
一、与非门电路
二、或非门电路
作业：p87 3.10
第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路
正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平的情况；
负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。
（此处用数字电路网络课程或powerpoint）
二、动态开关特性 （powerpoint）
在高速开关电路中，需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。
当输入电压ui 由正值uf 跃变为负值ur 的瞬间，vd 并不能立刻截止，而是在外加反向电压 ur作用下，产生了很大的反向电流ir ，这时 id＝ ir≈- ur／r，经一段时间 trr后二极管vd 才进人截止状态，如图3. 2. 3 (c) 所示。通常将trr 称作反向恢复时间。
产生 trr的主要原因是由于二极管在正向导通时，p区的多数载流子空穴大量流入n区，n区的多数载流子电子大量流入p区，在p区和n区中分别存储了大量的电子和空穴，统称为存储电荷。当ui 由uf 跃变为负值 ur时，上述存储电荷不会立刻消失，在反向电压的作用下形成了较大的反向电流 ir，随着存储电荷的不断消散，反向电流 也随之减少，最终二极管vd 转为截止。
当二极管vd 由截止转为导通时，在p区和n区中积累电荷所需的时间远比trr 小得多，故可以忽略。
3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路
表3.2.3 或门输入和输出的逻辑电平 表3.2.4 或门的真值表
表3.2.5 非门的真值表
二、或非门电路
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