SK海力士的M16工厂将用上最先进的EUV光刻工艺
今年10月份sk hynix才刚刚建成最新的m15晶圆厂，这是2015年全球最大的存储芯片工厂m14落成时sk hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分，m15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，主要生产3d nand闪存，初期将生产现在的72层堆栈3d nand，不过明年初就会转向96层堆栈的3d nand闪存。
着nand闪存及dram内存不断降价，2019年存储芯片市场将迎来一轮熊市。为了应对降价导致的损失，三星、sk hynix及美光都计划削减资本支出，不过削减并不意味着他们不再建设芯片工厂了。
就在本周三，也就是12月19日，sk海力士位于无锡的m16工厂正式举行开工典礼，预计2020年正式建成，总投资额还没确定，不过也不会低于15万亿韩元，其中基础设施建设就要3.5万亿韩元，占地面积30英亩。这座工厂最终会生产dram内存还是nand闪存都没确定，sk hynix表示这要看落成时的市场需求以及工厂的技术水平来决定。
不过有一点可以肯定的，m16工厂将会用上最先进的euv光刻工艺——存储芯片跟逻辑芯片不同，虽然对euv光刻工艺的需求没那么高，不过三星、sk hynix依然计划在未来使用euv工艺生产存储芯片，而美光对euv的态度就比较保守，未来两代的内存芯片依然不会用到euv光刻工艺。
据asml证实，此次入驻sk海力士无锡工厂确为nxt2000i，也即nxt2000。asml解释道，i是immersion的意思。nxt2000都是immersion的机器。
今年8月份曾有消息表示，asml已经开始出货新品twinscan nxt2000i duv（nxt2000i双工件台深紫外光刻机），可用于7nm和5nm节点。
nxt2000i将是nxe3400b euv光刻机的有效补充，毕竟台积电/gf的第一代7nm都是基于duv工艺。
同时，nxt2000i也成为了asml旗下套刻精度（overlay）最高的产品，达到了和3400b一样的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。
当时asml只表示这款性能出众的光刻机将于本年度末正式量产，尚未确定光刻机的价格。根据媒体的估计，按照目前asml的定位，这款光刻机的定价应该在几千万至上亿美元之间。asml的3400b euv光刻机的报价是1.2亿美元一台，而14nm节点的光刻机报价则在7200万美元。
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据asml证实，此次入驻sk海力士无锡工厂确为nxt2000i，也即nxt2000。asml解释道，i是immersion的意思。nxt2000都是immersion的机器。
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同时，nxt2000i也成为了asml旗下套刻精度（overlay）最高的产品，达到了和3400b一样的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。
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